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그라핀-산화물반도체 이종접합 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014057185
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판상에 화학기상증착법을 사용하여 그라핀을 직접 성장시켜 그라핀(전도체)/산화물반도체의 Schottky 접합 소자 및 그라핀 개질(도핑)에 의한 그라핀(p-type)/산화물반도체(n-type) 또는 그라핀(n-type)/산화물반도체(n-type) 이종 p-n 접합을 형성하는 반도체 소자 및 그 제조법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 다양한 산화물 또는 반도체 위에서 직접 그라핀을 성장시킬 수 있으므로 기계적 박리공정 또는 Cu 같은 금속기판 위에 성장 후 그라핀을 transferring 하는 복잡한 공정을 생략할 수 있어, 다양한 산화물 및 반도체와 그라핀(전도체)/산화물반도체의 Schottky 접합 소자나 그라핀(반도체)/산화물반도체의 이종접합 p-n 반도체소자를 간편하고 경제적으로 제작할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110008705 (2011.01.28)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1284059-0000 (2013.07.03)
공개번호/일자 10-2012-0087486 (2012.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김의태 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0070726-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006856-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0251873-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0515583-37
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0515578-19
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0642808-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-1069311-75
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1069307-92
11 등록결정서
Decision to grant
2013.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0338796-84
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
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번호 청구항
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(A) 지지판 상에 산화물 또는 반도체의 박막, 나노선, 나노로드, 나노튜브, 나노벨트 또는 나노입자 구조를 성장시키는 단계;(B) 이어서 메탄올, 에탄올 또는 아세톤을 소스로 사용하여 900~1300℃에서 기상증착법으로 상기 지지판 상의 산화물 또는 반도체의 박막, 나노선, 나노로드, 나노튜브, 나노벨트 또는 나노입자 구조 위에 그라핀을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Schottky 접합 소자의 제조방법
6 6
제 5 항에 의한 제조방법의 단계 (B) 이후에,(C) 상기 그라핀을 p-타입 또는 n-타입 반도체로 변환시키는 도핑하는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 이종접합 소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 단계 (C) 이전에, 상기 그라핀 표면을 플라즈마 처리하여 활성화하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 p-n 이종접합 소자의 제조방법
8 8
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 도핑을 위한 도펀트는 B, Li, Be, N, O, F, Na, Mg, Al, P, S 또는 Cl인 것을 특징으로 하는 p-n 이종접합 소자의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 도핑 소스는 boric acid이며, 도핑은 300-1000℃에서 화학기상증착법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 p-n 이종접합 소자의 제조방법
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2 US20120193610 US 미국 FAMILY

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1 US2012193610 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8288190 US 미국 DOCDBFAMILY
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