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(1) 반도체 산화물과 불소를 포함하는 기상 화합물을 반응시켜 반도체 산화물에 불소를 도핑하는 제1단계;(2) 상기 제1단계를 통하여 불소가 도핑된 반도체 산화물을 이용하여 페이스트를 제조하는 제2단계;(3) 상기 제2단계를 통하여 제조된 페이스트를 투명전극에 코팅하는 제3단계; 및(4) 상기 제3단계를 통하여 페이스트가 코팅된 투명전극을 열처리하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 염료 감응형 태양전지용 광전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 제4단계 이후에 제4단계를 통하여 열처리가 이루어진 페이스트가 코팅된 투명전극을 염료액에 담지하여 염료 흡착을 시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지용 광전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 산화물은 전이 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지용 광전극의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 반도체 산화물은 TiO2, Nb2O5, ZnO, SnO2, WO3, SrTiO3, CeO2 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지용 광전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 불소를 포함하는 기상 화합물은 불소(F2), 삼불화질소(NF3), 사불화탄소(CF4), 삼불화탄소(CHF3), 팔불화삼탄소(C3F8), 팔불화사탄소(C4F8), 삼불화붕소(BF3) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지용 광전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계의 반도체 산화물과 기상 화합물의 반응은, 기상 화합물의 압력이 0
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제1항에 있어서, 상기 제1단계의 반도체 산화물과 기상 화합물의 반응은, 15 내지 600℃의 온도범위에서 0
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제1항에 있어서,상기 제3단계의 페이스트를 투명전극에 코팅하는 과정에서 페이스트의 코팅두께는 100 내지 10,000㎚인 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양전지용 광전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제4단계의 열처리는 200 내지 600℃의 온도범위에서 0
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의한 제조방법에 의하여 제조되는 염료 감응형 태양전지용 광전극
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