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고분자 전해질 다층막의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 고분자 전해질 다층막

  • 기술번호 : KST2014057234
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 전해질 다층막의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 고분자 전해질 다층막에 관한 것으로서, 양이온성 고분자 전해질층과 음이온성 고분자 전해질층을 교대로 적층하여 교대 적층 구조를 형성하는 단계, 그리고 상기 교대 적층 구조에 백금 입자를 포함시키는 단계를 포함한다.상기 고분자 전해질 다층막은 세포의 흡착성이 향상되고, 고분자 전해질 다층막 내부에 특정 물질을 흡착할 수 있으며, 특정 물질의 광학활성을 향상시킬 수 있으므로, 생체감응장치(Biosensor)를 포함한 다양한 용도로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 생체조직과 결합하여 실험 또는 진단용, 의료용이나 질병 치료용으로도 사용될 수 있다.
Int. CL B32B 27/18 (2006.01) B32B 27/08 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01)
CPC C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110101857 (2011.10.06)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1285709-0000 (2013.07.08)
공개번호/일자 10-2013-0037452 (2013.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양성윤 대한민국 대전광역시 유성구
2 신나현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 문만호 경기도 부천시 옥산로 **
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0780668-23
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0812895-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0079143-10
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0983292-55
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0761858-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0134960-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0134959-54
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0444687-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양이온성 고분자 전해질층과 음이온성 고분자 전해질층을 교대로 적층하여 교대 적층 구조를 형성하는 단계, 그리고상기 교대 적층 구조에 백금 입자를 포함시키는 단계를 포함하며,상기 양이온성 고분자 전해질층과 음이온성 고분자 전해질층을 교대로 적층하여 교대 적층 구조를 형성하는 단계와 상기 교대 적층 구조에 백금 입자를 포함시키는 단계 사이에, 상기 교대 적층 구조를 산성 용액으로 처리하거나 또는 100℃ 미만의 온도에서 열처리하여 고분자 전해질 간에 가교반응을 일으키는 단계를 더 포함하는 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 양이온성 고분자 전해질층과 음이온성 고분자 전해질층을 교대로 적층하여 교대 적층 구조를 형성하는 단계는 기질을 음이온성 고분자 전해질을 포함하는 음이온성 고분자 전해질 용액과 양이온성 고분자 전해질을 포함하는 양이온성 고분자 전해질 용액에 교대로 침지시키는 방법으로 수행되는 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 음이온성 고분자 전해질 용액, 상기 양이온성 고분자 전해질 용액 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 고분자 전해질 용액의 pH는 5 미만인 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 교대 적층 구조에 백금을 포함시키는 단계는 상기 교대 적층 구조를 백금 전구체 용액에 침지시키는 단계, 및상기 백금 전구체를 환원시켜 백금 입자를 형성하는 단계를 포함하는 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 백금 전구체는 H2PtCl6, H6Cl2N2Pt, PtCl2, PtBr2, K2[PtCl4], H2Pt(OH)6, Pt(NO3)2, [Pt(NH3)4]Cl2, [Pt(NH3)4](HCO3)2, [Pt(NH3)4](OAc)2, (NH4)2PtBr6, (NH3)2PtCl6, 플래티늄 아세틸아세토네이트(platinum acetylacetonate), 이들의 수화물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 백금 전구체를 환원시켜 백금 입자를 합성하는 단계는 환원제를 포함하는 환원 용액에 상기 교대 적층 구조를 침지시키는 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 환원제는 NaBH4, H2SO3, LiAlH4, 하이드라진, 에틸렌 글리콜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 교대 적층 구조를 상기 환원 용액에 침지시키는 시간은 5 내지 25분인 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 환원 용액의 pH는 4 이상인 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서,상기 산성 용액은 pH가 1 내지 3인 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서,상기 산성 용액은 HCl, H2SO4, HNO3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 수용액인 것인 고분자 전해질 다층막의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제1항 내지 제9항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 고분자 전해질 다층막의 제조 방법에 의하여 제조되며,음이온성 고분자 전해질층과 양이온성 고분자 전해질층의 교대 적층 구조, 및상기 교대 적층 구조 내에 백금 입자를 포함하는 고분자 전해질 다층막
15 15
제14항에 있어서,상기 백금 입자는 평균 입경이 2 내지 30 nm인 것인 고분자 전해질 다층막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 충남대학교 일반연구자 지원사업 (여성과학자) 다기능성 미세유체소자개발을 위한 고분자 코팅 및 분리막소재 연구
2 교육과학기술부 연세대학교 선도연구센터(ACE) 육성사업(패턴집적형 능동형 폴리머 연구센터(ERC)) 바이오활성 표면제어 패턴 소재