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이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014057251
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일벽 탄소나노튜브; 단일벽 탄소나노튜브 상에 형성된 ITO(Indium-tin oxide) 박막층; ITO 박막층 상에 형성된 이산화티탄 박막층; 을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광전기화학 활성이 우수한 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) H01B 1/04 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020120002302 (2012.01.09)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1300600-0000 (2013.08.21)
공개번호/일자 10-2013-0081374 (2013.07.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤순길 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0018920-52
2 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0510040-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단일벽 탄소나노튜브;단일벽 탄소나노튜브 상에 형성된 ITO(Indium-tin oxide) 박막층;ITO 박막층 상에 형성된 이산화티탄 박막층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 ITO 박막층은 두께가 100-200nm인 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체
3 3
제 1 항에 있어서,상기 이산화티탄 박막층은 두께가 200-300nm인 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체
4 4
제 1 항에 있어서,상기 이산화티탄 박막층은 루틸형으로 이루어지거나 루틸형과 아나타제형이 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체
5 5
(A) 기판 상에 단일벽 탄소나노튜브를 제조하는 단계;(B) 상기 단일벽 탄소나노튜브 상에 나노클러스터 증착법에 의해 ITO 박막층을 제조하는 단계; 및(C) 상기 ITO 박막층 상에 나노클러스터 증착법에 의해 이산화티탄 박막층을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 ITO 박막층은,증기화된 소스증기를 250~300℃로 가열된 챔버내의 샤워헤드에서 열분해하여 챔버 내에 공급하며,기판의 온도는 180~300℃로 가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서상기 이산화티탄 박막층은 전구체로 Ti(O-iPr)2(dibm)2 (Ti(O-i-C3H7)2(C9H15O2)2)을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체의 제조방법
8 8
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이산화티탄 박막층은,증기화된 소스증기를 200~240℃로 가열된 챔버내의 샤워헤드에서 열분해하여 챔버 내에 공급하며,기판의 온도는 300~400℃로 가열하여 루틸형으로 제조하는 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체의 제조방법
9 9
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이산화티탄 박막층은 나노클러스터 증착법에 의해,증기화된 소스증기를 240~300℃로 가열된 챔버내의 샤워헤드에서 열분해하여 챔버 내에 공급하며,기판의 온도는 300~400℃로 가열하여 루틸형과 아나타제형이 혼합되도록 제조하는 것을 특징으로 하는 이산화티탄/ITO/단일벽 탄소나노튜브 복합체의 제조방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.