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a) 4-비닐벤질클로라이드, 스티렌 및 아크릴계 단량체를 중합하여 제 1 중합체를 제조하는 단계;b) 상기 제 1 중합체에 트리프로필아민, 트리부틸아민에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 아민화제를 반응시켜 제 2 중합체를 만드는 단계;c) 상기 단계 b)의 제 2 중합체를 이용하여 음이온 교환막을 제조하는 단계;를 포함하는 질산성질소 제거용 음이온 교환막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 a)의 아크릴계 단량체는 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, I-프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, i-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 아밀아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 클로로에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 히드록시페닐아크릴레이트, 클로로페닐아크릴레이트, 설파모일페닐아크릴레이트, 2-(히드록시페닐카르보닐옥시)-에틸아크릴레이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 질산성질소 제거용 음이온 교환막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 a)단계에서 4-비닐벤질클로라이드 : 스티렌 단량체 : 아크릴계 단량체의 몰비는 상기 제 1중합체의 전체 몰비 중 0
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제 1항에 있어서,상기 단계 c)는 공중합체를 캐스팅한 후, 30℃에서 130℃까지 반복 없이 시간당 10℃씩 승온 및 냉각시킨 질산성질소 제거용 음이온 교환막의 제조방법
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제 1항 내지 제 4항에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 질산성질소 제거용 음이온 교환막
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제 5항에 있어서,상기 음이온 교환막의 질산성질소의 투과 선택도가 1
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제 5항에 있어서,상기 음이온 교환막의 두께가 0
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