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광흡수 나노입자 전구체, 상기 전구체 제조방법, 상기 전구체를 이용한 고품질광흡수 나노입

  • 기술번호 : KST2014057512
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광흡수 나노입자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 독성물질을 사용하지 않아 친환경적이면서도 보다 저가의 공정을 통해 태양전지 박막에 사용될 수 있는 광흡수 나노입자 전구체 및 그 제조방법과 그 전구체를 이용한 고품질 광흡수 나노입자 및 그 나노입자 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC Y02E 10/50(2013.01)
출원번호/일자 1020100086651 (2010.09.03)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1307994-0000 (2013.09.06)
공개번호/일자 10-2012-0023452 (2012.03.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신승욱 대한민국 광주광역시 광산구
2 김진혁 대한민국 광주광역시 북구
3 문종하 대한민국 광주광역시 북구
4 한준희 대한민국 대전광역시 유성구
5 최두선 대한민국 광주광역시 북구
6 이정용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0575070-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0090779-06
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0442193-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0788547-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0788578-33
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0145798-04
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0370965-08
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0370936-84
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0603217-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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Cu 및 S 와 In 또는 Ga 중 어느 하나 이상이 포함된 반응용액을 준비하는 단계; 준비된 상기 반응용액의 pH를 조절하는 단계;pH조절된 상기 반응용액을 Microwave 조사하여 광흡수 나노입자 전구체를 형성하는 단계; 및형성된 상기 광흡수 나노입자 전구체를 분리하는 단계를 포함하는데,상기 준비된 반응용액은 상기 광흡수 나노입자 전구체가 CIS나노입자 전구체인 경우에는 몰농도가 0
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제 5 항에 있어서,상기 Microwave 조사는 Microwave 파워가 100 내지 700W인 범위에서 5분 내지 1시간 수행되는 것을 특징으로 하는 광흡수 나노입자 전구체 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 분리된 광흡수 나노입자 전구체를 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광흡수 나노입자 전구체 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 Cu 수용성염,In 수용성염 및 Ga 수용성염은 아세테이트염, 염산염 또는 황산염 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광흡수 나노입자 전구체 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 수용성 황은 티오우레아(thiourea) 또는 티오아세트아마이드(thioacetamide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광흡수 나노입자 전구체 제조방법
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제 5 항, 제 7 항, 제 8 항, 제 10 항 또는 제 11 항 중 어느 한 항의 광흡수 나노입자 전구체 제조방법으로 광흡수 나노입자 전구체를 제조하는 단계; 및상기 제조된 광흡수 나노입자 전구체를 황화열처리 또는 셀렌화 열처리하는 단계를 포함하는 광흡수 나노입자 제조방법
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제 16 항에 있어서, 상기 셀렌화 열처리하는 단계는 Se pellet과 광흡수 나노입자 전구체를 이격시켜 배치하는 단계;이격되어 배치된 상기 Se pellet을 열처리하는 단계; 및열처리된 상기 Se pellet으로부터 기화된 Se을 황화수소가 1-10중량% 포함된 질소혼합가스를 운반가스로 하여 상기 광흡수 나노입자 전구체와 반응시키는 단계를 포함하는 광흡수 나노입자 제조방법
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제 17 항에 있어서, 상기 Se pellet은 350 ℃ 내지 550 ℃로 열처리되는데, 열처리되는 온도에 따라 기화되는 Se양이 조절되는 것을 특징으로 하는 광흡수 나노입자 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 기화된 Se을 광흡수 나노입자 전구체와 반응시키는 단계는 상기 광흡수 나노입자 전구체를 500 내지 600℃로 30분 내지 90분간 열처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광흡수 나노입자 제조방법
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제 16 항에 있어서, 상기 황화 열처리하는 단계는 황화수소가 1-10중량%포함된 질소분위기하에서 500 내지 600℃로 30분 내지 90분간 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광흡수 나노입자 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.