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3족 염을 이용한 산화아연 박막의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 박막

  • 기술번호 : KST2014057618
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3족 염을 이용한 산화아연 박막의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 박막이 개시된다. 57℃ 내지 63℃의 온도 범위에서 저온 수열 합성법으로 산화아연 박막 제조시 3족 염 및 트라이 소듐 시트레이트(tri-sodium citrate)를 이용하여 산화아연 박막의 두께 및 표면의 미세구조를 제어함으로써 높은 종횡비를 가지는 복수개의 나노로드를 구비한 산화아연 박막을 제조할 수 있다. 또한 이를 통하여 제조된 산화아연 박막은 향상된 광학적, 전기적 특성 및 표면 형상이 우수한 미세구조를 가질 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) C01G 9/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110031389 (2011.04.05)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1319167-0000 (2013.10.10)
공개번호/일자 10-2012-0113604 (2012.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20131016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주광역시 북구
2 신승욱 대한민국 대전광역시 유성구
3 이정용 대한민국 대전광역시 유성구
4 문종하 대한민국 광주광역시 북구
5 권예빈 대한민국 광주광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0248002-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0002385-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0106651-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0319781-63
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0319773-08
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0591533-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
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번호 청구항
1 1
아연의 전구체, 성장된 산화아연 박막의 표면의 전하를 중성화시켜 표면 평활도를 유지하는 트라이-소듐 시트레이트, 및 c축 방향으로 수직성장을 유도하는 3족 염을 포함하는 산화아연 수열합성용 용액을 제공하는 단계;기판을 상기 산화아연 수열합성용 용액 내에 배치시키는 단계; 및상기 산화아연 수열합성용 용액을 가열하여 산화아연 박막을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 산화아연 박막은 상기 기판의 상부 방향으로 성장된 복수개의 나노로드를 구비하는 산화아연 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 나노로드는 5 내지 20의 종횡비를 갖는 산화아연 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 산화아연 수열합성용 용액에 포함되는 3족 염은 Al, Ga 및 In 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 함유한 염인 산화아연 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 염은 질산 이온, 염소 이온 및 황산 이온 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 음이온을 포함하는 산화아연 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 3족 염은 Al(NO3)3·6H2O, Ga(NO3)3·6H2O 및 In(NO3)3·6H2O 중에서 선택되는 적어도 하나인 산화아연 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 아연의 전구체는 아연 나이트레이트 헥사하이드레이트 또는 아연 아세테이트 디하이드레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 산화아연 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 산화아연 수열합성용 용액은 암모늄 하이드록사이드(NH4OH), 소듐 하이드록사이드(NaOH), 또는 포타슘 하이드록사이드(KOH)를 pH 조절제로 더 포함하는 산화아연 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 산화아연 수열합성용 용액을 가열하여 산화아연 박막을 성장시키는 단계는 57℃ 내지 63℃의 저온에서 이루어지는 산화아연 박막의 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 산화아연 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.