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기판상에 형성된 SiO2 층,상기 SiO2 층상에 형성된 SiGeSb 박막층,상기 SiGeSb 박막층상에 형성된 GeSbTe 박막층,상기 GeSbTe 박막층상에 형성된 제1 단자를 포함하고,상기 SiGeSb 박막층은 GeSbTe 박막층을 간접 가열하고,상기 제1 단자는 비어 홀을 통해 상기 GeSbTe 박막층과 연결되며,상기 SiGeSb 박막 내의 Sb 농도는 20~35 원자 백분율 범위인 것을 특징으로 하는 프로그래머블 스위치 소자
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제1항에 있어서,상기 SiGeSb 박막층상에 형성된 제2 및 제3 단자를 더 포함하고,상기 제 1 내지 제3 단자는 각각 텅스텐 박막층으로 이루어지고,상기 제1 단자는 읽기(Reading) 단자이고, 상기 제2 및 제3 단자는 프로그래밍 단자(programming terminal)인 것을 특징으로 하는 프로그래머블 스위치 소자
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제1항에 있어서,상기 SiGeSb 박막층은 (Si0
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기판상에 SiO2 층을 형성하는 단계,상기 SiO2 층상에 SiGeSb 박막층을 형성하는 단계,상기 SiGeSb 박막층상에 GeSbTe 박막층을 형성하는 단계,상기 GeSbTe 박막층상에 제1 단자를 형성하는 단계 및상기 SiGeSb 박막층상에 제2 및 제3 단자를 형성하는 단계를 포함하고,상기 SiGeSb 박막층은 GeSbTe 박막층을 간접 가열하고,상기 제1 단자는 비어 홀을 통해 상기 GeSbTe 박막층과 연결되며,상기 SiGeSb 박막 내의 Sb 농도는 Sb 타겟에 인가되는 스퍼터링 전압을 바꿔서 20~35 원자 백분율 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 스위치 소자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 SiGeSb 박막층은 Si, Ge, 및 Sb 타겟을 코-스퍼터링(co-sputtering)하여 성장된 것을 특징으로 하는 프로그래머블 스위치 소자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 SiGeSb 박막층은 (Si0
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