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제1 전극이 구비된 기판을 준비하는 단계; 및상기 제1 전극 상에 제1 전자수송층, 제2 전자수송층, 유기 광활성층, 정공수송층 및 제2 전극을 차례로 적층하는 단계를 포함하고,상기 제1 전자수송층은, 금속 산화물 나노 입자의 분산 용액을 상기 제1 전극 상에 도포하여 형성시킨 금속 산화물 나노 입자 박막이고, 상기 제2 전자수송층은, 원자층 증착법(ALD)을 통해 형성된 금속 산화물 박막인 것을 특징으로 하는 역구조 유기 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 전자수송층의 금속 산화물 박막은 티타늄 산화물 박막, 아연 산화물 박막 또는 주석 산화물 박막인 역구조 유기 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 원자층 증착법(ALD)을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법은,상기 제1 전극과 제1 전자수송층이 구비된 기판이 원자층 증착 반응기에 배치되고, 금속 산화물 전구체가 상기 원자층 증착 반응기로 유입되는 단계;상기 금속 산화물 전구체가 유입된 원자층 증착 반응기에 퍼징되는 단계;상기 금속 산화물 전구체가 퍼징된 원자층 증착 반응기로 산화제가 유입되는 단계; 및상기 산화제가 유입된 원자층 증착 반응기에 퍼징되는 단계를 포함하는 역구조 유기 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 금속 산화물 전구체는 테트라키스 디메틸아미도 티타늄, 테트라키스 디에틸아미도 티타늄, 테트라키스 에틸메틸아미도 티타늄, 디에틸아연, 염화주석, 테트라키스 디메틸아미도 주석, 테트라키스 디에틸아미도 주석 및 테트라키스 에틸메틸아미도 주석 중에서 선택되는 역구조 유기 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전자수송층의 금속 산화물 나노입자는 티타늄 산화물, 아연 산화물 또는 주석 산화물인 역구조 유기 태양전지 제조방법
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기판 상에 순차 적층된 제1 전극, 제1 전자수송층, 제2 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전자수송층은, 티타늄 산화물, 아연 산화물 또는 주석 산화물의 금속 산화물 나노 입자를 포함하는 나노 입자 박막이고, 상기 제2 전자수송층은 원자층 증착법에 의해 형성된 티타늄 산화물 박막, 아연 산화물 박막 또는 주석 산화물 박막을 포함하는 금속 산화물 박막인 것을 특징으로 하는 역구조 유기 태양전지
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