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PDMS(PolyDiMethylSiloane) 기반의 유연성 전극에 있어서,PDMS 기판;상기 PDMS 기판의 상부에 형성되는 페릴렌(parylene) 코팅층; 및상기 페릴렌 코팅층의 상부에 미리 결정된 형상으로 형성되는 금속 패턴을 포함하고, 상기 페릴렌 코팅층은 상기 금속 패턴이 형성되지 않은 영역에서 상기 PDMS기판이 노출되도록 형성된 것임을 특징으로 하는 유연성 전극
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PDMS(PolyDiMethylSiloane) 기반의 유연성 전극 제조 방법에 있어서,(a) PDMS 기판의 상부면에 페릴렌 코팅층을 형성하는 단계;(b) 상기 페릴렌 코팅층의 상부면에 금속층을 형성하는 단계;(c) 상기 금속층의 상부면에 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 금속층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계; (e) 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및(f) 상기 금속 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 페릴렌 코팅층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 전극 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 (a)단계의 페릴렌 코팅층은접착 증진제와 함께 화학 기상 증착(LPCVD)에 의해 형성되며, 상기 (b)단계의 금속층은스퍼터링(sputtering) 또는 이베포레이션(evaporation)에 의해 형성되는 것임을 특징으로 하는 유연성 전극 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 (d)단계의 금속 패턴은상기 금속층을 습식 에칭하여 형성되는 것임을 특징으로 하는 유연성 전극 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 (a)단계의 PDMS 기판은리지드(rigid) 보조 기판의 상부에 도포되어 형성되며, 상기 리지드 보조 기판은 상기 (e)단계 이후에 제거되는 것임을 특징으로 하는 유연성 전극 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 페릴렌 코팅층의 식각은 반응성 이온 에칭 방법에 의하는 것임을 특징으로 하는 유연성 전극 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 (a)단계의 PDMS 기판은리지드(rigid) 보조 기판의 상부에 도포되어 형성되며, 상기 리지드 보조 기판은 상기 (f)단계 이후에 제거되는 것임을 특징으로 하는 유연성 전극 제조 방법
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PDMS(PolyDiMethylSiloane) 기반의 유연성 전극 제조 방법에 있어서,(a) PDMS 기판의 상부면에 페릴렌 코팅층을 형성하는 단계;(b) 상기 페릴렌 코팅층의 상부면에 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 포토 레지스트 패턴 및 상기 페릴렌 코팅층의 상부면에 금속층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 포토 레지스트 패턴과 상기 포토 레지스트 패턴 상부면에 형성된 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 유연성 전극 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 (d)단계는상기 포토 레지스트 패턴을 리프트 오프 방법에 의해 제거하는 것임을 특징으로 하는 유연성 전극 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 (a)단계의 PDMS 기판은리지드(rigid) 보조 기판의 상부에 도포되어 형성되며, 상기 리지드 보조 기판은 상기 (d)단계 이후에 제거되는 것임을 특징으로 하는 유연성 전극 제조 방법
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