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저밴드갭의 공중합체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014057866
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저밴드갭의 공중합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명에서는 밴드갭이 낮고 다른 다양하게 요구되는 물성 역시 우수한 공중합체를 제공할 뿐만 아니라, 다른 한편으로 이들 공중합체를 제조할 수 있는 제조방법에 대해서도 제공하고자 한다.
Int. CL C08G 61/12 (2014.01) C08L 65/00 (2014.01) H01L 29/786 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01) C08G 61/122(2013.01)
출원번호/일자 1020110121364 (2011.11.21)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1259865-0000 (2013.04.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재석 대한민국 광주광역시 북구
2 아쉬라프 이집트 광주광역시 북구
3 민준근 대한민국 광주광역시 북구
4 압도나비하 이집트 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0917026-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0058484-26
4 등록결정서
Decision to grant
2013.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0251938-19
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번호 청구항
1 1
다음 화학식 1의 구조를 갖는 공중합체로서:[화학식 1] 상기 -X-는 -D3- 또는 -A2-이고;상기 -D1-, -D2-, -D3-는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 , , , 중에서 선택되며; 상기 -R1은 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 아민, 페닐기이고; 상기 -Y-는 -C-, -N-, 또는 -O-이며;상기 -A1-, -A2-는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 , 중에서 선택되며; 상기 -R2, -R3, -R4, -R5는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 -H, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 또는 페닐기이며;상기 n은 10-10,000의 정수인 것을 특징으로 하는 공중합체
2 2
제1항에 있어서, 상기 공중합체는 다음 화학식 3의 구조를 가지고;[화학식 3] 상기 A2는 상기 A1과 상이한 것을 특징으로 하는 공중합체
3 3
다음 화학식 4를 갖는 공중합체로서:[화학식 4] 상기 -R1, -R2, -R3, -R1’은 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 헥실, C1-C12 알킬, 페닐, C1-C12 알콕시, -H, 아민기이며;상기 -Z-는 이고; 상기 -R4, -R5는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 -H, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 아민, 페닐기이며;상기 n은 10-10,000의 정수인 것을 특징으로 하는 공중합체
4 4
제3항에 있어서, 상기 공중합체는 하기 화학식 8의 구조를 가지고:[화학식 8] 상기 -R1’’ 및 -R1’’’는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 헥실, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 아민, -H 또는 페닐기인 것을 특징으로 하는 공중합체
5 5
하기 화학식 12의 제1 단량체와 A2의 제2 단량체를 Pd 포함 촉매 하에서 직접 CH 아릴화 반응을 수행하는 단계를 포함하는 하기 화학식 3의 공중합체 제조방법으로서,[화학식 12] [화학식 3] 상기 -L, -L2는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 -Cl, -Br 또는 -I 중에서 선택되고,상기 -D1-, -D2-는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 , , , 중에서 선택되고; 상기 -R1은 C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 아민, 페닐기이고; 상기 -Y-는 -C-, -N-, 또는 -O-이며;상기 -A1-, -A2-는 서로 상이하고 각각 독립적으로 , 중에서 선택되며; 상기 -R2, -R3, -R4, -R5는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 -H, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 또는 페닐기이며;상기 n은 10-10,000의 정수인 것을 특징으로 하는 화학식 3의 공중합체 제조방법
6 6
하기 화학식 13의 제1 단량체와 , , 중에서 선택된 제2 단량체를 Pd 포함 촉매 하에서 직접 CH 아릴화 반응을 수행하는 단계를 포함하는 하기 화학식 4의 공중합체 제조방법으로서,[화학식 13] [화학식 4] 상기 -L, -L2는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 -Cl, -Br 또는 -I 중에서 선택되고,상기 -R1, -R2, -R3, -R1’은 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 헥실, C1-C12 알킬, 페닐, C1-C12 알콕시, -H, 아민기이며;상기 -Z-는 , , 중에서 선택되고; 상기 R4, R5는 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 -H, C1-C12 알킬, C1-C12 알콕시, 아민 또는 페닐기이며;상기 n은 10-10,000의 정수인 것을 특징으로 하는 화학식 4의 공중합체 제조방법
7 7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 공중합체를 포함하는 염료감응형 태양전지
8 8
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 공중합체를 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05865493 JP 일본 FAMILY
2 JP26528968 JP 일본 FAMILY
3 US09159497 US 미국 FAMILY
4 US20140135460 US 미국 FAMILY
5 WO2013077613 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 JP2014528968 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5865493 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2014135460 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9159497 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2013077613 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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