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헤파린의 카르복실산기를 변형시킴으로써 티올화된 헤파린을 제조하는 단계;상기 티올화된 헤파린을 산화반응에 의해서 금속표면에 화학적으로 흡착시키는 단계;상기 흡착된 헤파린에 헤파린 친화성 생물질을 결합시키는 단계; 및상기 금속표면, 헤파린 및 헤파린 친화성 생물질의 복합체에 전기 자극을 가해줌으로써 상기 헤파린 친화성 생물질의 방출을 야기하는 단계를 포함하는, 헤파린 친화성 생물질의 방출 조절방법
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제1항에 있어서, 상기 티올화된 헤파린은 상기 헤파린을 시스테아민 (cysteamine)과 반응시킴으로써 제조되는 것을 특징으로 하는 헤파린 친화성 생물질의 방출 조절방법
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제1항에 있어서, 상기 금속은 상기 금속은 생체적합성을 가지며 티올기와 반응가능한 금속인 것을 특징으로 하는 헤파린 친화성 생물질의 방출 조절방법
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제1항에 있어서, 상기 금속은 금, 은 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 헤파린 친화성 생물질의 방출 조절방법
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제1항에 있어서, 상기 헤파린 친화성 생물질은 헤파린 결합도메인을 갖는 성장인자 또는 단백질인 것을 특징으로 하는 헤파린 친화성 생물질의 방출 조절방법
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제1항에 있어서, 상기 헤파린 친화성 생물질은 내피 성장인자 (EGFs), 섬유 아세포성장인자 (FGFs), 신생혈관생성인자 (VEGF) 및 간세포 성장인자 (HGFs)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 헤파린 친화성 생물질의 방출 조절방법
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제1항에 있어서, 상기 전기 자극은 100μA 내지 -500μA의 전류주기 또는 1
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제1항에 있어서, 상기 전기 자극은 20μA 내지 -100μA의 전류주기인 것을 특징으로 하는 헤파린 친화성 생물질의 방출 조절방법
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