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기판의 분리 방법

  • 기술번호 : KST2014058022
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판의 분리 방법을 제공한다. 기판의 분리 방법은 제1 기판 상에 n-GaN 계열의 분리층을 형성하는 단계, 분리층 상에 GaN 계열을 포함하는 기능성 막질을 형성하는 단계, 제1 기판을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하여 상기 분리층 내에 나노 공극을 형성하는 단계, 기능성 막질을 제2 기판에 부착하는 단계 및 분리층을 습식 에칭하여 나노 공극의 크기를 성장시켜 주위의 나노 공극과 결합됨으로써 제1 기판과 기능성 막질을 분리하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 수직형 발광 다이오드 제작에 필수적인 리프트-오프 공정 중에서 보다 효율적인 화학적 리프트-오프 공정을 제공할 수 있고, 고가의 장비가 필요없이 웨이퍼 단위의 공정을 수행할 수 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020120044616 (2012.04.27)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1319218-0000 (2013.10.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0339314-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.02.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0010120-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0230467-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0491164-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0491178-31
8 등록결정서
Decision to grant
2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0528670-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 상에 n-GaN 계열의 분리층을 형성하는 단계;상기 분리층 상에 GaN 계열을 포함하는 기능성 막질을 형성하는 단계;상기 제1 기판을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하여 상기 분리층 내에 나노 공극을 형성하는 단계;상기 기능성 막질을 제2 기판에 부착하는 단계; 및상기 분리층을 습식 에칭하여 상기 나노 공극의 크기를 성장시켜 주위의 나노 공극과 결합됨으로써 상기 제1 기판과 상기 기능성 막질을 분리하는 단계를 포함하는 기판의 분리 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 분리층과 상기 기능성 막질 내의 n형 반도체층의 도핑 농도를 상이하게 조절함으로써 상기 분리층에서 나노 공극이 주도적으로 형성되는 것을 특징으로 하고,상기 분리층의 도핑 농도가 상기 n형 반도체층의 도핑 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 기판의 분리 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 전해액은 옥살산 또는 KOH를 포함하는 기판의 분리 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 기능성 막질을 제2 기판에 부착하는 단계는,상기 기능성 막질 상에 접합층을 형성하는 단계 및 상기 접합층 상에 제2 기판을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 분리 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 습식 에칭은 알칼리 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 기판의 분리 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 알칼리 용액은 KOH를 포함하는 기판의 분리 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 기능성 막질을 형성하는 단계 및 상기 분리층 내에 나노 공극을 형성하는 단계 사이에,상기 기능성 막질 및 상기 분리층을 식각하여 패턴 구조의 기능성 막질 및 분리층을 형성하는 단계를 더 포함하는 기판의 분리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.