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NDR 소자 및 그 제작공정

  • 기술번호 : KST2014058407
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기존의 NDR 소자의 낮은 PVCR 문제를 트랜지스터를 이용하여 해결하고 단순한 구조와 보다 낮은 구동전압을 이용하여 동작 특성을 높이고, 멀티-피크 및 멀티-밸리를 갖는 소자를 구현하기 위함이다.본 발명의 일 실시예에 따른 P타입 트랜지스터를 이용한 NDR 소자는 드레인 전극, 게이트 전극, 소스전극으로 구성된다.상기 드레인 전극은 PN접합 다이오드에 형성되어 있고, 상기 게이트 전극은 P타입 트랜지스터 층의 상부 및 하부에 또는 P타입 트랜지스터 층 전체를 둘러싸면서 형성되어 있다.상기 소스 전극은 PN 접합다이오드에 일단이 연결된 P타입 트랜지스터 층의 타단에 형성되어 있다.상기 게이트 전극과 P타입 트랜지스터 층 사이에는 절연층을 포함하고 있다.본 발명의 다른 일 실시예에 따른 N타입 트랜지스터를 이용한 NDR 소자는 드레인 전극, 게이트 전극, 소스전극으로 구성된다.상기 드레인 전극은 PN접합 다이오드에 형성되어 있고, 상기 게이트 전극은 N타입 트랜지스터 층의 상부 및 하부 또는 N타입 트랜지스터 층 전체를 둘러싸면서 형성되어 있다.상기 소스 전극은 PN 접합다이오드에 일단이 연결된 N타입 트랜지스터 층의 타단에 형성되어 있다.상기 게이트 전극과 N타입 트랜지스터 층 사이에는 절연층을 포함하고 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 27/06 (2006.01) H01L 29/861 (2006.01)
CPC H01L 27/0629(2013.01) H01L 27/0629(2013.01)
출원번호/일자 1020120061833 (2012.06.08)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0138045 (2013.12.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경록 대한민국 울산 울주군
2 신선해 대한민국 울산 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0459390-29
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0495369-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129186-64
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0546670-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0379919-92
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0770482-12
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0879350-61
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0980078-94
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1079761-04
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1079760-58
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0196460-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
PN접합 다이오드에 형성된 드레인 전극;트랜지스터 층의 상부 및 하부에 형성된 게이트 전극; 상기 트랜지스터 층의 타단에 형성된 소스전극; 및상기 게이트 전극과 트랜지스터 층 상이에는 절연층을 포함하는 NDR 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 트랜지스터층은 n형 또는 p 형으로 도핑된 NDR 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 트랜지스터는 나노 와이어 트랜지스터 또는 박막 트랜지스터인 NDR 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 울산과학기술대학교 산학협력단 기초연구사업-일반연구자지원사업-신진연구자지원사업(연구비지원) THz 대역폭을 갖는 극저전력 나노전자소자 개발