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광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지

기술번호 : KST2014058416
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	3차원으로 배열된 제 1 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 제 1 기공 내에 형성되며, 상기 제 1 기공의 크기보다 작은 3차원으로 배열된 제 2 기공을 가지는 제 2 전이금속 산화물 구조체를 포함하는, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체, 상기 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법, 상기 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체를 포함하는 계층형 다공성 광전극, 및 상기 계층형 다공성 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL	H01B 1/08 (2014.01) C01G 1/02 (2014.01) C01G 19/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020110039970 (2011.04.28)
출원인	서강대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1312335-0000 (2013.09.23)
공개번호/일자	10-2012-0122020 (2012.11.07) 문서열기
공고번호/일자	(20130927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.04.28)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	문준혁	대한민국	서울특별시 양천구
2	조창열	대한민국	인천광역시 연수구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단		서울특별시 마포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2011-0315708-88
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.02.24	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.03.21	수리 (Accepted)	9-1-2012-0022831-90
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.02.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0128525-14
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.04.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0352521-28
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.04.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0352516-00
7	등록결정서 Decision to grant	2013.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0569545-93
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 삭제
2	2 삭제
3	3 삭제
4	4 삭제
5	5 기재 상에 제 1 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 제 1 희생층을 형성하고;상기 제 1 희생층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체를 주입하고;상기 제 1 희생층을 제거함으로써 3차원으로 배열된 제 1 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하고;상기 제 1 전이금속 산화물 구조체의 제 1 기공 내로 상기 제 1 고분자 콜로이드 입자보다 작은 크기를 가지는 제 2 고분자 콜로이드 입자를 주입하여 제 2 희생층을 형성하고;상기 제 2 희생층 내로 제 2 전이금속 산화물 전구체를 주입하고; 및,상기 제 2 희생층을 제거함으로써 상기 제 1 기공 내에 형성되며, 상기 제 1 기공의 크기보다 작은 3차원으로 배열된 제 2 기공을 가지는 제 2 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 것:을 포함하는, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 제 1 고분자 콜로이드 입자, 및 상기 제 2 고분자 콜로이드 입자는, 각각 독립적으로 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/디비닐벤젠(PS/DVB), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트)(PBMA), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
7	7 제 5 항에 있어서,상기 제 1 희생층은, 상기 제 1 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 용액을 상기 기재 상에 스핀 코팅 또는 캐스팅함으로써 형성되는 것인, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
8	8 제 5 항에 있어서,상기 제 1 희생층 내로 상기 제 1 전이금속 산화물 전구체를 주입한 후 스핀 코팅을 수행하는 것을 추가 포함하는, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
9	9 제 5 항에 있어서,상기 제 2 희생층은, 상기 제 2 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 용액을 상기 제 1 기공 내로 스핀 코팅 또는 캐스팅함으로써 형성되는 것인, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
10	10 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 희생층 내로 상기 제 2 전이금속 산화물 전구체를 주입한 후 스핀 코팅을 수행하는 것을 추가 포함하는, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
11	11 제 5 항에 있어서,상기 제 1 희생층 제거, 및 상기 제 2 희생층 제거는, 각각 독립적으로 가열 소성 공정 또는 용매를 이용하여 수행되는 것인, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
12	12 제 5 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는, 각각 독립적으로 Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함하는 것인, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
13	13 제 5 항에 있어서,상기 제 1 고분자 콜로이드 입자의 크기는 마이크로미터 단위이고, 상기 제 2 고분자 콜로이드 입자의 크기는 나노미터 단위인, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
14	14 제 5 항에 있어서,상기 기재는 전도성 투명 기재를 포함하는 것인, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
15	15 제 11 항에 있어서,상기 가열 소성 공정은 400℃ 내지 800℃의 온도에서 수행되는 것인, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
16	16 삭제
17	17 삭제
18	18 삭제
19	19 삭제
20	20 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2012148213	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY
2	WO2012148213	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2012148213	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY
2	WO2012148213	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	서울특별시	서강대학교산학협력단	신기술연구개발지원사업	화학습식증착법에 의해 형성된 계층구조 다공성 광전극을 포함하는 염료감응
2	교육과학기술부	서강대학교산학협력단	일반연구자지원사업 (기본-유형1)	광밴드갭에 의해 광흡수율이 극대화된 고효율 광촉매연구
3	지식경제부	서강대학교산학협력단	에너지자원인력양성사업	집적형 광자결정을 이용한 태양전지소자의 에너지효율향상

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1312335-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110428 출원 번호 : 1020110039970 공고 연월일 : 20130927 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130820 청구범위의 항수 : 11 유별 : C01G 1/02 발명의 명칭 : 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체, 상기의 제조 방법, 상기를 포함하는 광전극, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20180924

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	237,000 원	2013년 09월 24일	납입
제 4 년분	금 액	197,400 원	2016년 08월 04일	납입
제 5 년분	금 액	197,400 원	2017년 09월 01일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2011-0315708-88
2	선행기술조사의뢰서	2012.02.24	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2012.03.21	수리 (Accepted)	9-1-2012-0022831-90
4	의견제출통지서	2013.02.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0128525-14
5	[명세서등 보정]보정서	2013.04.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0352521-28
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.04.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0352516-00
7	등록결정서	2013.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0569545-93
8	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89


기술번호	KST2014058416
자료제공기관	NTB
기술공급기관	서강대학교
기술명	광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지
기술개요	3차원으로 배열된 제 1 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 제 1 기공 내에 형성되며, 상기 제 1 기공의 크기보다 작은 3차원으로 배열된 제 2 기공을 가지는 제 2 전이금속 산화물 구조체를 포함하는, 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체, 상기 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법, 상기 계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체를 포함하는 계층형 다공성 광전극, 및 상기 계층형 다공성 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	계층형 다공성 전이금속 산화물 구조체 - 각종 휴대기기, 전자기기, 차량용, 가정용 등의 염료감응형 태양전지에 활용 - 이산화티타늄과 같은 광활성 반도체를 포함하여 광전극으로서 유용하게 활용 - 촉매, 광촉매, 전극, 광전극, 센서, 광센서, 광전소자, 나노소자 등 다양한 분야에 활용
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415113799
세부과제번호	2008EAPHMP230000
연구과제명	광자결정 집적형 고효율 태양전지 개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	서강대학교
성과제출연도	2010
연구기간	200808~201107
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1415113799
세부과제번호	2008EAPHMP230000
연구과제명	광자결정 집적형 고효율 태양전지 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	서강대학교
성과제출연도	2010
연구기간	200808~201107
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020110069767]	겔형 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지, 및 상기의 제조 방법	새창보기
[1020110062085]	다공성 전이금속 산화물 구조체, 상기의 제조 방법, 상기를 포함하는 광전극, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지	새창보기
[1020110039970]	광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지	새창보기

중요키워드

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