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고분자 다층 박막으로 코팅된 제지용 무기 충전물 제조 방법 및 이를 통해 제조된 종이

  • 기술번호 : KST2014058500
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제지용 무기 충전물 제조 방법 및 이를 통해 제조된 종이에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 반응조 내에서 충전물 입자를 증류수로 분산하는 단계와, 반응조 내에 양이온성 고분자 물질을 투입하여 충전물의 표면에 양이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계와, 반응조 내의 증류수와 미흡착된 양이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음 증류수를 재투입하여 충전물을 재분산하는 단계와, 반응조 내에 음이온성 고분자 물질을 투입하여 양이온성 고분자 물질의 표면에 음이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계와, 반응조 내의 증류수와 미흡착된 음이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음 증류수를 재투입하여 충전물을 재분산하는 단계, 반응조 내에 양이온성 고분자 물질을 투입하여 음이온성 고분자 물질의 표면에 양이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계, 및 반응조 내의 증류수와 미흡착된 양이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음 증류수를 재투입하여 충전물을 재분산하는 단계를 포함하는 제지용 무기 충전물 제조 방법을 제공한다.본 발명에 따른 제지용 무기 충전물 제조 방법 및 이를 통해 제조된 종이에 따르면, 제지용 무기 충전물의 표면 상에 이온성이 서로 다른 고분자 물질을 연속적으로 흡착시켜서 충전물 입자에 고분자 다층 박막을 형성함에 따라, 제조되는 종이의 강도를 향상시킬 수 있고 원가를 절감할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL D21H 17/45 (2006.01.01) D21H 17/42 (2006.01.01) D21H 17/67 (2015.01.01) C01F 11/18 (2006.01.01)
CPC D21H 17/45(2013.01) D21H 17/45(2013.01) D21H 17/45(2013.01) D21H 17/45(2013.01)
출원번호/일자 1020120033421 (2012.03.30)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1337096-0000 (2013.11.28)
공개번호/일자 10-2013-0111001 (2013.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20131206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤혜정 대한민국 경기 부천시 원미구
2 이학래 대한민국 서울 관악구
3 이제곤 대한민국 서울 관악구
4 안정언 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0258990-00
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0848912-87
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0006442-02
6 등록결정서
Decision to grant
2013.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0666373-34
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 반응조 내에서 음이온성을 띄는 충전물 입자를 증류수로 분산하는 단계;(b) 상기 반응조 내에 양이온성 고분자 물질을 투입하여 상기 충전물의 표면 상에 상기 양이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계;(c) 상기 반응조 내의 증류수와 미흡착된 양이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음, 상기 반응조에 증류수를 재투입하여 상기 충전물을 재분산하는 단계;(d) 상기 반응조 내에 음이온성 고분자 물질을 투입하여 상기 양이온성 고분자 물질의 표면 상에 상기 음이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계;(e) 상기 반응조 내의 증류수와 미흡착된 음이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음, 상기 반응조에 증류수를 재투입하여 상기 충전물을 재분산하는 단계;(f) 상기 반응조 내에 양이온성 고분자 물질을 투입하여 상기 음이온성 고분자 물질의 표면 상에 상기 양이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계; 및(g) 상기 반응조 내의 증류수와 미흡착된 양이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음, 상기 반응조에 증류수를 재투입하여 상기 충전물을 재분산하는 단계를 포함하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 양이온성 고분자 물질은 상기 충전물 대비 0
3 3
청구항 1에 있어서,상기 (g) 단계를 수행한 다음, 상기 (d) 단계 내지 상기 (g) 단계를 N(N은 자연수)회 반복 수행하는 단계를 더 포함하여,상기 충전물의 표면 상에 상기 양이온성 고분자 물질과 상기 음이온성 고분자 물질이 번갈아 흡착된 홀수 개의 다층 박막을 형성하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 (g) 단계를 수행한 다음,상기 (d) 단계 및 상기 (e) 단계를 수행하는 단계를 더 포함하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 (g) 단계를 수행한 다음, 상기 (d) 단계 내지 상기 (g) 단계를 N(N은 자연수)회 반복 수행한 다음 상기 (d) 단계 및 상기 (e) 단계를 수행하는 단계를 더 포함하여,상기 충전물의 표면 상에 상기 양이온성 고분자 물질과 상기 음이온성 고분자 물질이 번갈아 흡착된 짝수 개의 다층 박막을 형성하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 충전물은 탄산칼슘, 클레이, 탈크, 이산화티탄, 실리카 중 적어도 하나를 포함하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 양이온성 고분자 물질은 Poly-DADMAC(poly diallyldimethylammonium chloride), C-PAM(cationic polyacrylamide), PEI(polyethylenimine), PAH(poly allylamine), 양성전분 중 적어도 하나를 포함하고,상기 음이온성 고분자 물질은 PAA(polyacrylic acid), PSS(poly sodium 4-styrene sulfonate), A-PAM (ationic polyacrylamide), PVOH(polyvinylalcohol) 중 적어도 하나를 포함하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
8 8
(a) 반응조 내에서 양이온성을 띄는 충전물 입자를 증류수로 분산하는 단계;(b) 상기 반응조 내에 음이온성 고분자 물질을 투입하여 상기 충전물의 표면 상에 상기 음이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계;(c) 상기 반응조 내의 증류수와 미흡착된 음이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음, 상기 반응조에 증류수를 재투입하여 상기 충전물을 재분산하는 단계;(d) 상기 반응조 내에 양이온성 고분자 물질을 투입하여 상기 음이온성 고분자 물질의 표면 상에 상기 양이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계;(e) 상기 반응조 내의 증류수와 미흡착된 양이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음, 상기 반응조에 증류수를 재투입하여 상기 충전물을 재분산하는 단계;(f) 상기 반응조 내에 음이온성 고분자 물질을 투입하여 상기 양이온성 고분자 물질의 표면 상에 상기 음이온성 고분자 물질을 정전기적으로 흡착시키는 단계; 및(g) 상기 반응조 내의 증류수와 미흡착된 음이온성 고분자 물질을 배출시킨 다음, 상기 반응조에 증류수를 재투입하여 상기 충전물을 재분산하는 단계를 포함하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 (g) 단계를 수행한 다음,상기 (d) 단계 및 상기 (e) 단계를 수행하는 단계를 더 포함하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
10 10
청구항 8에 있어서,상기 (g) 단계를 수행한 다음, 상기 (d) 단계 내지 상기 (g) 단계를 N(N은 자연수)회 반복 수행한 다음 상기 (d) 단계 및 상기 (e) 단계를 수행하는 단계를 더 포함하여,상기 충전물의 표면 상에 상기 양이온성 고분자 물질과 상기 음이온성 고분자 물질이 번갈아 흡착된 짝수 개의 다층 박막을 형성하는 제지용 무기 충전물 제조 방법
11 11
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 무기 충전물이 함유되어 제조된 종이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 무림P&P 에너지·자원기술개발사업/전략응용기술 이산화탄소·섬유저감형 로딩기술개발