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양친성 덴드리틱 고분자의 소수성 사슬이 표면에 자기조립(self-assembly)된 용액 내 중금속 이온 제거용 금속성 이온 흡착막
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제1항에 있어서, 상기 덴드리틱 고분자는 금속성 이온을 공액시킬 수 있는 다수의 작용기를 갖는 것을 특징으로 하는, 용액 내 중금속 이온 제거용 금속성 이온 흡착막
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제2항에 있어서, 상기 작용기는 -CH2-, -CONH-, 및 -NH2- 으로 이루어진 군에서 선택된 1이상의 작용기인 것을 특징으로 하는, 용액 내 중금속 이온 제거용 금속성 이온 흡착막
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제1항에 있어서, 상기 소수성 사슬은 탄소수 5 내지 18의 치환 또는 비치환 알킬사슬인 것을 특징으로 하는, 용액 내 중금속 이온 제거용 금속성 이온 흡착막
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제1항에 있어서, 상기 소수성 사슬은 덴드리틱 고분자 1개당 3 내지 12개를 포함하는 것을 특징으로 하는, 용액 내 중금속 이온 제거용 금속성 이온 흡착막
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지지체 위에 소수성 사슬을 가지는 양친성 덴드리틱 고분자 및 막 형성용 고분자를 포함하는 금속성 이온 흡착막 도포용 조성물을 도포하고, 친수성 응고액 내에 투입하여, 양친성 덴드리틱 고분자의 소수성 사슬이 표면에 자기조립된 용액 내 중금속 이온 제거용 금속성 이온 흡착막을 제조하는 방법
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제6항에 있어서, 상기 막 형성용 고분자는 폴리술폰, 폴리이미드, 폴리아마이드이미드, 폴리아마이드,폴리아크릴로니트릴 및 폴리비닐리덴플로라이드로 이루어진 군에서 선택된 1이상인 것을 특징으로 하는, 방법
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제6항에 있어서, 상기 금속성 이온 흡착막 도포용 조성물에는 유기용매 또는 첨가제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법
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제8항에 있어서, 상기 금속성 이온 흡착막 도포용 조성물은 막 형성용 고분자 10 내지 20 중량%, 덴드리틱 고분자 1 내지 10 중량%, 유기용매 60 내지 85 중량% 및 첨가제 2 내지 20 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법
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삭제
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제6항에 있어서, 상기 금속성 이온 흡착막 도포용 조성물 중 양친성 덴드리틱 고분자는 에스테르 화합물을 용매에 넣고 용해하는 단계; 아민류 화합물을 반응시키는 단계; 및 상기 반응물을 용해한 후 소수성 화합물과 반응시키는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 방법
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중금속 이온이 포함된 용액 내 양친성 덴드리틱 고분자의 소수성 사슬이 표면에 자기조립된 금속성 이온 흡착막을 투입하여 용액 내의 중금속 이온을 흡착시키는 단계, 및 상기 흡착된 중금속 이온을 산·염기 조절을 통해 세척하는 단계를 포함하는, 용액 내 중금속 이온 제거방법
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제1항에 있어서, 상기 양친성 덴드리틱 고분자의 분자량은 3000 내지 15000 gmol-1인 것을 특징으로 하는, 용액 내 중금속 이온 제거용 금속성 이온 흡착막
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