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하기 화학식 I 로 표시되는 상온 상압에서 고체로 존재하는 고체 히드라진(H3N+NHCO2-)을 하기의 화학식 II 및 III 으로 표기되는 카르보닐 화합물들과 반응하여 아진(Azine) 화합물 또는 아진 고분자(Azine Polymer)를 합성하는 방법: 상기 화학식 II 및 III에서 R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 탄소 수 1 - 30의, 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄소 고리 화합물, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 R5에 의해 치환된 방향족 (aromatic) 고리, 또는 R5에 의해 치환된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이거나, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족(aliphatic) 탄소 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이고,상기 화학식 III에서 A로 표시되는 부분은 탄소수 2 - 30개의, 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄소 고리, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 R5에 의해 치환된 방향족 (aromatic) 고리, 또는 R5에 의해 치환된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이거나, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족(aliphatic) 탄소 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이며,상기 R5는 할로기, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알킬기, 또는 C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알콕시기임
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청구항 1에 있어서, 상기 고체 히드라진을 화학식 II 및 III 으로 표기되는 카르보닐 화합물과 용매 없는 조건 하에서 고체간의 갈음을 통하거나 접촉을 통해서 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 고체 히드라진을 화학식 II 및 III 으로 표기되는 카르보닐 화합물과 물, C5~C15의 지방족 탄화수소 화합물, C6~C15의 방향족 탄화수소 화합물, C1~C15의 알코올, 또는 C2~C16의 에테르 등의 용매 존재 하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 고체 히드라진과 화학식 II 및 III 으로 표기되는 카르보닐 화합물 간의 반응 시 반응 온도는 0 - 300℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1항의 상기 화학식 II 또는 III로 표시되는 카르보닐 화합물로 기판에 막을 형성한 후, 합성된 아민 고체를 승화시켜 기판에서 반응시켜 아진 또는 아진 고분자를 기판 위에 생성시키는 건식 공정 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 기판에서 반응시키는 아진 (Azine) 화합물은 하기 화학식 II로 표시되는 카르보닐 화합물인 것을 특징으로 하는 건식 공정 방법:[화학식 II] 상기 화학식 II에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 탄소 수 1 - 30의, 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄소 고리 화합물, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 R5에 의해 치환된 방향족 (aromatic) 고리, 또는 R5에 의해 치환된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이거나, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족(aliphatic) 탄소 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이며,상기 R5는 할로기, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알킬기, 또는 C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알콕시기임
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청구항 9에 있어서, 상기 기판에서 반응시키는 아진 (Azine) 화합물은 하기 화학식 III로 표시되는 아진(azine) 화합물인 것을 특징으로 하는 건식 공정 방법: [화학식 III] 상기 화학식 III에서, R3,R4는 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 탄소 수 1 - 30의, 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄소 고리 화합물, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 R5에 의해 치환된 방향족 (aromatic) 고리, 또는 R5에 의해 치환된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이거나, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족(aliphatic) 탄소 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이고,A로 표시되는 부분은 탄소수 2 - 30개의, 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 탄소 고리, 또는 R5에 의해 치환된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 R5에 의해 치환된 방향족 (aromatic) 고리, 또는 R5에 의해 치환된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이거나, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 탄화수소, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족(aliphatic) 탄소 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 지방족 (aliphatic) 헤테로 고리, 또는 Si, O, S, Se, N, P 또는 As 가 적어도 하나 이상 포함된 헤테로 방향족 (aromatic) 고리 중의 하나이며,상기 R5는 할로기, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알킬기, 또는 C1-C4 직쇄 또는 가지쇄 알콕시기임
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청구항 11에 있어서, 상기 n은 3 - 1000 인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 건식 공정 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 n은 5 100 인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 건식 공정 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 화학식 II 또는 III로 표시되는 카르보닐 화합물로 기판에 막을 형성하는 방법은 카르보닐 화합물을 기판에 저압 증착시키는 방법으로 막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 건식 공정 방법
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청구항 14항에 있어서, 상기 저압은 1 x 10-7 - 7
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청구항 14항에 있어서, 상기 저압은 1 x 10-6 - 1 x 10-1 (mmHg)인 것을 특징으로 하는 건식 공정 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 화학식 II 또는 III로 표시되는 카르보닐 화합물로 기판에 막을 형성하는 방법은 카르보닐 화합물을 기판에 스핀 코팅(spin coating)시키는 방법으로 막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 건식 공정 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 화학식 II 또는 III로 표시되는 카르보닐 화합물로 기판에 막을 형성하는 방법은 카르보닐 화합물을 기판에 딥 코팅(dip coating)시키는 방법으로 막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 건식 공정 방법
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