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반도체 소자의 스캘롭 제거방법 및 그 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2014058703
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 스캘롭 제거방법 및 그 반도체 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 오존을 이용하여 플라즈마를 형성시켜 Si 기판의 산화 속도를 증대하고, 펄스 피딩 방식과 기판 바이어스 조합을 통한 방향성 산화 기술을 활용하여 스캘롭 특성의 개선을 통해 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 스캘롭 제거방법 및 그 반도체 소자에 관한 것이다.본 발명은 반도체 소자의 스캘롭 제거방법은 하드마스크 산화막과 노광막을 증착한 후 Si 식각 또는 SiC 식각에 의해 Si 기판 또는 Sic 기판에 홀이나 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 홀이나 트렌치 측벽의 스캘롭을 오존으로 산화하여 스캘롭 표면에 산화막을 형성하는 단계, 및 상기 산화막을 선택적으로 식각하여 스캘롭을 제거하는 단계를 포함하여 구성된다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020130080130 (2013.07.09)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1541369-0000 (2015.07.28)
공개번호/일자 10-2015-0006914 (2015.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20150804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경근 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0615567-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0037016-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0482763-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0866265-35
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0866266-81
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0656103-80
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1129725-28
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1129726-74
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0167863-58
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0252199-75
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0252198-29
14 등록결정서
Decision to grant
2015.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0464362-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 하드마스크 산화막과 노광막을 증착한 후 Si 식각 또는 SiC 식각에 의해 Si 기판이나 SiC 기판에 홀이나 트렌치를 형성하는 단계;(b) 상기 홀이나 트렌치 측벽의 스캘롭을 오존으로 산화하여 스캘롭 표면에 방향성 산화막을 형성하는 단계; 및(c) 상기 방향성 산화막을 선택적으로 식각하여 스캘롭을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스캘롭 제거방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 방향성 산화막을 펄스 피딩 방식과 기판 바이어스 조합을 통해 형성된 플라즈마에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스캘롭 제거방법
4 4
제3항에 있어서,상기 펄스 피딩 방식은 퍼지 및 펌핑에 의해 오존을 유입하고, 이후 Ar, N2 또는 H2 기체를 유입하는 공정을 반복하는 것임을 특징으로 하는 반도체 소자의 스캘롭 제거방법
5 5
제4항에 있어서,상기 오존 유입 시간은 0
6 6
제3항에 있어서, 상기 방향성 산화막을 300℃ 이하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스캘롭 제거방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (c)단계에서 Si과 SiO2 선택도가 1: 10 이상인 불산(HF vapor) 기상 식각 장비를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스캘롭 제거방법
8 8
제7항에 있어서,상기 불산 기상 식각 장비는 건식 세정 공정으로 HF와 NH3를 혼합하여 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스캘롭 제거방법
9 9
제8항에 있어서,상기 HF/NH3의 혼합 중량비율인 0
10 10
제1항에 있어서,상기 (b)단계와 상기 (c)단계를 동일 장비에서 모듈화하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스캘롭 제거방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 나노융합상용화 플랫폼 촉진 및 활용사업 차세대 나노융합 소재부품 상용화 지원