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평탄한 바닥면, 상기 바닥면에 대해서 기울어진 측벽을 가지며 상기 바닥면으로부터 멀어질수록 폭이 증가하는 복수의 제1 오목부를 가지는 기판,상기 제1 오목부를 포함하는 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 광활성층,상기 광활성층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극, 광활성층 및 제2 전극은 상기 제1 오목부의 내벽을 따라 형성되어 굴곡져 있으며,상기 제1 전극은 복수의 제1 분리홈으로 분리된 복수의 제1 소전극,상기 제2 전극은 이웃하는 상기 제1 소전극을 노출하는 복수의 제2 분리홈으로 분리된 복수의 제2 소전극을 포함하고, 상기 제1 분리홈 및 상기 제2 분리홈은 이웃하는 제1 오목부 사이의 평탄한 상기 기판에 위치하는 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 전극, 광활성층 및 제2 전극은 각각 상기 제1 오목부 내에 위치하는 제1 부분과 상기 기판 위에 위치하는 제2 부분을 포함하는 태양 전지
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3
제2항에서,상기 제1 전극, 광활성층 및 제2 전극의 상기 제1 부분은 제2 오목부를 형성하는 태양 전지
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4
제3항에서,상기 광활성층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함하는 태양 전지
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5
제1항에서,상기 제1 오목부는 행렬을 이루도록 배열되어 있으며,상기 제1 오목부의 횡단면은 원형 또는 다각형인 태양 전지
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6
삭제
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7
삭제
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8
제1항에서,상기 제1 오목부의 종횡비는 0
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9
제1항에서,상기 제1 오목부의 바닥 폭은 상기 제1 전극, 광활성층 및 제2 전극의 두께의 합의 두 배 초과인 태양 전지
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10
제9항에서,상기 제1 오목부의 바닥 폭은 6㎛ 내지 10㎛인 태양 전지
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11
삭제
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12
삭제
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13
제1항에서,상기 제1 전극은 몰리브덴으로 이루어지고,상기 제2 전극은 IZO, ITO 및 AZO 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지
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14
제1항에서,상기 광활성층은 화합물 반도체 물질로 이루어지는 태양 전지
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15
제14항에서,상기 화합물 반도체 물질은 CIGS계 물질을 포함하는 태양 전지
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제14항에서,상기 화합물 반도체 물질은 CdTe계 물질을 포함하는 태양 전지
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제1항에서,상기 광활성층은 Si계 물질로 이루어지는 태양 전지
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