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적어도 일부의 브러쉬 말단에 하기 화학식(1)로 표현되는 정공 운반 물질군에서 선택되는 하나 이상의 관능기가 형성되는 폴리에테르 블록 공중합체인 폴리에테르 브러쉬 고분자
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제1항에 있어서, 상기 화학식(1)의 관능기는 하기 화학식(2)로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
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제1항에 있어서, 폴리에테르 브러쉬 고분자는 브러쉬 말단의 1-99 %에 상기 화학식(1)의 관능기가 형성되며, 적어도 일부의 다른 브러쉬 말단은 -H, -CH3, -COOH, -CHO, -OH, -NH2, -C6H6, -(C6H6)2및 N3로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
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하기 화학식(3)으로 표현되는 폴리에테르 브러쉬 고분자
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제5항에 있어서, 상기 화학식(1)의 관능기가 하기 화학식(2)로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
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제5항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 하기 화학식 4로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
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하기 화학식 (5)에 의해서 표현되는 폴리에테르 블록 공중합체와,(5)여기서, ρ, σ는 R1, R2, R3, R4를 포함하는 탄소의 반복 단위를 나타내는 것으로 서로에 관계없이 1 내지 20의 값이고,R1, R2, R3, R4, Y1, Y2은 서로에 관계없이 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기이고,m 및 n는 폴리에테르 단위체의 함량(mol %)을 나타낸 것으로, 0003c#m≤100 이고, 0≤n003c#100이며, m + n = 100이며;하기 화학식(6)으로 표현되는 화합물과 반응시키는 단계, X-B’ (6)여기서, 상기 X 는 청구항 1의 화학식(1)로 표현되는 관능기이며, B’는 B와 반응하여 청구항 5의 링커 Z2를 이루는 잔기이며;하기 화학식(7)로 표현되는 화합물과 반응시키는 단계, P-A’ (7)여기서 상기 P는 -H, -CH3, -COOH, -CHO, -OH, -NH2, -C6H6, -(C6H6)2및 N3로 이루어지는 군으로부터 선택되며, A와 A’는 상호 반응하여 링커 Z1을 이루는 잔기인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 B는 -R-OH이며, A는 -R-O-R=C이며, 여기서 R은 각각 독립적으로 탄소수 1-20 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 화학식(5)는 하기 화학식(8)의 화합물로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬인 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 화학식 (6)의 X-B’는 하기 화학식(12)으로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 화학식(7)의 P-A’는 하기 화학식(13)의 화합물로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-10 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 화학식 (5)에 의해서 표현되는 폴리에테르 블록 공중합체는 하기 화학식(9) 화합물에서, (9)여기서, X1과 X3, -RO-, -O-, -COO-, -NH-, -S-, -SOO-, -R-로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되는 링커로서 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬기이며, X2와 X4는 (7)에서 독립적으로 선택되는 보호기이며,(10)일부의 보호기를 선택적으로 제거하여 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
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상기 청구항 1-2 및 4-7중 어느 한 항에 따른 폴리에테르 브러쉬 고분자를 포함하는 활성층을 가지는 고분자 메모리 소자
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제14항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자는 하부 전극; 상기 하부전극 위에 형성된 유기 활성층; 및 상기 유기 활성층 위에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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제14항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 나노구조화된 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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기판상에 형성된 하부 전극 위에 청구항 1-2 및 4-7 중 중 어느 한 항에 따른 폴리에테르 브러쉬 고분자를 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 나노구조화된 폴리에테르 브러쉬 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 나노 구조화는 활성층의 용매 어닐링을 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
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제19항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
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