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구조유도인자로 내트로라이트계 알루미노실리케이트를 포함하고, 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 가열하여 내트로라이트 제올라이트를 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 y는 0
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제1항에 있어서, 상기 내트로라이트계 알루미노실리케이트는 천연 또는 합성 내트로라이트계 제올라이트인 것을 특징으로 하는 방법
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제3항에 있어서, 상기 천연 내트로라이트계 제올라이트는 스콜레사이트 제올라이트 또는 내트로라이트 제올라이트인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 구조유도인자는 실리카에 대해서 1 내 5 중량% 비율인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 가열은 80~200 ℃의 온도에서 0
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제1항에 있어서, 80 내지 120℃에서 0
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8
제1항에 있어서, 150 내지 200℃에서 7~28일간 가열하여 내트로라이트 골격 내 Si와 Al 원자가 규칙적으로 분포하는 내트로라이트 제올라이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
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9
제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 테프론 반응용기에 옮기고 상기 테프론 반응용기를 다시 스테인레스 강철로 만든 용기에 넣어 가열하는 것을 특징으로 하는 방법
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10
제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 수산화알루미늄(Al(OH)3) 0
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삭제
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12
기본적인 골격구조가 하기 화학식 2와 같은 몰비의 산화물 조성으로 이루어진 내트로라이트 골격 구조이며, 하기 표1에 주어진 격자 간격들을 포함하는 x-선회절 패턴을 가지는 PST-3 알루미노실리케이트 분자체
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13
제12항에 있어서, 상기 내트로라이트 알루미노실리케이트 분자체는 비침상형인 것을 특징으로 하는 PST-3 알루미노실리케이트 분자체
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14
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 분자체는 직육면체나 얇은 판상 모형의 결정 모양을 가지는 것을 특징으로 하는 PST-3 알루미노실리케이트 분자체
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삭제
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제12항에 있어서, 상기 분자체는 상기 표1 대신 하기 표 2에 주어진 격자 간격들을 포함하는 X-선 회절 패턴을 가지는 PST-3 알루미노실리케이트 분자체
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제12항에 있어서, 상기 분자체는 Al과 Si의 분포가 불규칙적인 것을 특징으로 하는 PST-3 알루미노실리케이트 분자체
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기본적인 골격구조가 하기 화학식 2와 같은 몰비의 산화물 조성으로 이루어진 내트로라이트 골격 구조이며, 하기 표3에 주어진 격자 간격들을 포함하는 x-선회절 패턴을 가지는 PST-4 알루미노실리케이트 분자체
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19
제18항에 있어서, 상기 분자체는 표 3대신 하기 표 4에 주어진 격자 간격들을 포함하는 X-선 회절 패턴을 가지는 PST-4 알루미노실리케이트 분자체
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K+, Rb+, Cs+, Mg2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+로 이루어진 그룹에서 하나 선택되는 이온으로 치환되는 PST-3 알루미노실리케이트 분자체
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21
K+, Rb+, Cs+, Mg2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+로 이루어진 그룹에서 하나 선택되는 이온으로 치환되는 PST-4 알루미노실리케이트 분자체
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