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금속 기재를 준비하는 단계;상기 금속 기재의 표면에 물리적 또는 화학적 처리를 통해 1㎛ 이상 1,000㎛ 미만의 범위에 속하는 마이크로미터 스케일의 미세 요철을 형성하는 단계;상기 금속 기재를 산 처리 또는 염기 처리하여 상기 미세 요철의 표면에 1nm 이상 1,000nm 미만의 범위에 속하는 나노미터 스케일의 금속 나노층을 형성하는 단계;끓는 물을 이용하여 상기 금속 나노층을 안정화시키는 단계; 및상기 금속 나노층 위로 소수성 고분자층을 형성하여 극소수성 표면을 만드는 단계를 포함하는 금속 기재의 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 미세 요철은 샌드 블라스트, 샌드 페이퍼 작업, 숏 블라스트, 플라즈마 에칭, 방전 처리, 레이저 처리, 산 또는 염기 에칭 중 어느 하나의 공정으로 형성되는 금속 기재의 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 산 처리는 염산, 황산, 질산, 불산, 인산 및 아세트산으로부터 선택되는 적어도 하나의 산 용액에서 수행되고,상기 염기 처리는 수산화나트륨, 수산화바륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 수산화구리, 수산화암모늄, 수산화철 및 암모니아로부터 선택되는 적어도 하나의 염기 용액에서 수행되는 금속 기재의 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노층을 안정화시키는 단계는 상기 금속 기재를 끓는 물에 30분 내지 24시간 동안 담그는 것으로 이루어지는 금속 기재의 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 소수성 고분자층은 불소 수지, 불소계 실란 커플링제, 불소계 이소시안산염 화합물, 알칸티올, 유기실란 화합물, 지방산, 방향족 아지드 화합물, 이들의 혼합물, 이들의 중합체로부터 선택되는 적어도 하나의 소수성 물질을 포함하는 금속 기재의 표면 가공 방법
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제5항에 있어서,상기 소수성 고분자층은 상기 금속 나노층 위에 상기 소수성 물질이 코팅되어 형성되거나, 상기 금속 나노층과 상기 소수성 물질이 화학적 결합을 이루어 형성되는 금속 기재의 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 소수성 고분자층은 1Å 이상 5nm 이하의 범위에 속하는 두께를 가지는 금속 기재의 표면 가공 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법으로 가공되어 상기 미세 요철과 상기 금속 나노층 및 상기 소수성 고분자층에 의해 극소수성 표면을 구현하는 금속 기재
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