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히트 파이프에 있어서, 돌기 형태의 그루브윅이 내부 표면을 따라 내측으로 돌출 형성된 증발부(200);상기 증발부와 연장된 위치에 접합되고 내측이 포러스 구조로 형성된 응축부(100)를 포함하되, 상기 증발부의 내부 표면은 친수성 표면 처리된 금속인 것을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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히트 파이프에 있어서, 돌기 형태의 그루브윅이 내부 표면을 따라 내측으로 돌출 형성된 증발부(200);상기 증발부와 연장 접합된 응축부(100)를 포함하되, 상기 증발부의 내부 표면은 친수성 표면 처리된 금속이며,상기 응축부의 내부 표면은 소수성 표면 처리된 금속인 것을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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히트 파이프에 있어서, 돌기 형태의 그루브윅이 내부 표면을 따라 내측으로 돌출 형성된 증발부(200);상기 증발부와 연장된 위치에 접합되는 응축부(100)를 포함하되, 상기 증발부의 내부 표면은 친수성 표면 처리된 금속인 것을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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청구항 1 내지 청구항 3 중의 어느 청구항에 있어서,금속 기재를 준비하는 단계(s10);상기 금속 기재의 표면에 물리적 또는 화학적 처리를 통해 마이크로미터 스케일의 미세 요철을 형성하는 단계(s20); 및상기 미세 요철의 표면에 나노미터 스케일의 금속 나노층을 형성하여 극친수성 표면을 만드는 단계(s30)를, 상기 증발부(200)의 내측 표면에 적용함을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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청구항 4 에 있어서,상기 미세 요철은 샌드 블라스트, 샌드 페이퍼 작업, 숏 블라스트, 플라즈마 에칭, 방전 처리, 레이저 처리, 산 또는 염기 에칭 중 어느 하나의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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6
청구항 4 에 있어서,상기 금속 나노층은 상기 금속 기재를 산 처리 또는 염기 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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청구항 6 에 있어서,상기 산 처리는 염산, 황산, 질산, 불산, 인산 및 아세트산으로부터 선택되는 적어도 하나의 산 용액에서 수행되고,상기 염기 처리는 수산화나트륨, 수산화바륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 수산화구리, 수산화암모늄, 수산화철 및 암모니아로부터 선택되는 적어도 하나의 염기 용액에서 수행되는 것을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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8
청구항 6 에 있어서,상기 금속 나노층은 상기 금속 기재를 산 처리 또는 염기 처리한 후, 끓는 물에 30분 내지 24시간 동안 담금으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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청구항 1 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,금속 기재를 준비하는 단계(s10);상기 금속 기재의 표면에 물리적 또는 화학적 처리를 통해 마이크로미터 스케일의 미세 요철을 형성하는 단계(s20);상기 미세 요철의 표면에 나노미터 스케일의 금속 나노층을 형성하는 단계(s30); 및상기 금속 나노층 위로 소수성 고분자층을 형성하여 극소수성 표면을 만드는 단계(s40)을 포함하는 단계를,상기 응축부(100)의 내측 표면에 적용함을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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10
청구항 9에 있어서,상기 미세 요철은 샌드 블라스트, 샌드 페이퍼 작업, 숏 블라스트, 플라즈마 에칭, 방전 처리, 레이저 처리, 산 또는 염기 에칭 중 어느 하나의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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11
청구항 9에 있어서, 상기 금속 나노층은 상기 금속 기재를 산 처리 또는 염기 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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12
청구항 11에 있어서,상기 산 처리는 염산, 황산, 질산, 불산, 인산 및 아세트산으로부터 선택되는 적어도 하나의 산 용액에서 수행되고,상기 염기 처리는 수산화나트륨, 수산화바륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 수산화구리, 수산화암모늄, 수산화철 및 암모니아로부터 선택되는 적어도 하나의 염기 용액에서 수행되는 것을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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13
청구항 11에 있어서, 상기 금속 나노층은 상기 금속 기재를 산 처리 또는 염기 처리한 후, 끓는 물에 30분 내지 24시간 동안 담금으로써 형성되는 것을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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14
청구항 9에 있어서,상기 소수성 고분자층은 불소 수지, 불소계 실란 커플링제, 불소계 이소시안산염 화합물, 알칸티올, 유기실란 화합물, 지방산, 방향족 아지드 화합물, 이들의 혼합물, 이들의 중합체로부터 선택되는 적어도 하나의 소수성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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청구항 14에 있어서,상기 소수성 고분자층은 상기 금속 나노층 위에 상기 소수성 물질이 코팅되어 형성되거나, 상기 금속 나노층과 상기 소수성 물질이 화학적 결합을 이루어 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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청구항 9에 있어서,상기 소수성 고분자층은 1옹스트롱 이상 5nm 이하의 범위에 속하는 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 친수성 및 소수성 표면으로 처리한 히트파이프
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