| 1 |
1
음성신호에 대한 뇌파 신호를 분석하는 단계와;상기 분석된 결과를 이용하여 뇌파 신호에 해당하는 음성신호를 파악하는 단계를 포함하며,상기 음성신호 파악 단계에서는 RRAM으로 연결되는 크로스 어레이 배선을 포함하는 시냅스 특성의 전자소자를 이용하는 음성신호 인식 방법
|
| 2 |
2
제1항에서,달팽이관 신호를 추출하는 단계와;상기 뇌파 신호와 상기 달팽이관 신호를 사전처리하여 스파이킹 뉴런으로 변환하는 단계를 더 포함하며,상기 전자소자에는 상기 스파이킹 뉴런이 인가되는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식 방법
|
| 3 |
3
제1항에서,상기 전자소자는,복수의 층으로 이루어져 있으며,상기 스파이킹 뉴런이 인가되며 뉴런을 포함하는 입력층,상기 제1층과 랜덤하게 연결되어 있으며, 상기 입력층보다 작은 수의 뉴런을 포함하는 제1층,제1층과 연결되어 있으며, RRAM 시냅스를 포함하는 제2층과;상기 제2층과 연결되어 있는 출력 뉴런을 포함하는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식 방법
|
| 4 |
4
제1항에서,상기 RRAM은제1금속층;상기 제1금속층 상에 위치하는 PCMO층;상기 PCMO층 상에 위치하며 상기 PCMO층과 직접 접촉하는 티타늄질화물층;상기 티타늄질화물층 상에 위치하는 가변저항층;상기 가변저항층 상에 위치하는 제2금속층을 포함하는 음성신호 인식 방법
|
| 5 |
5
제4항에서,상기 가변저항층은 산소이동을 통해 저항이 가변하는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식 방법
|
| 6 |
6
제5항에서,상기 가변저항층은 알루미늄 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식 방법
|
| 7 |
7
제4항에서,상기 PCMO층은 다결정 상태인 것을 특징으로 하는 음성신호 인식 방법
|
| 8 |
8
시냅스 특성의 전자소자의 응용방법에 있어서,상기 시냅스 특성의 전자소자는, 제1방향으로 연장된 다수의 제1배선;상기 제1배선 상에 위치하며, 상기 제1배선과 교차하는 제2방향으로 연장된 다수의 제2배선을 포함하며,상기 제1배선과 상기 제2배선은 교차점에서 RRAM으로 연결되어 있으며,상기 RRAM은 순차적으로 적층된 PCMO층, 티타늄질화물층 및 알루미늄 산화물층을 포함하며, 상기 티타늄질화물층과 상기 PCMO층은 직접 접촉되어 있으며,상기 시냅스 특성의 전자소자를 뇌파 신호에 해당하는 음성신호를 파악하는데 사용하는 단계를 포함하는 응용방법
|
| 9 |
9
제8항에서,달팽이관 신호를 추출하는 단계와;상기 뇌파 신호와 상기 달팽이관 신호를 사전처리하여 스파이킹 뉴런으로 변환하는 단계를 더 포함하며,상기 전자소자에는 상기 스파이킹 뉴런이 인가되는 것을 특징으로 하는 응용방법
|
| 10 |
10
제8항에서,상기 PCMO층은 다결정 상태인 것을 특징으로 하는 응용방법
|
| 11 |
11
제10항에서,상기 제1배선은 백금을 포함하여 이루어지며,상기 제2배선은 텅스텐과 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 응용방법
|
| 12 |
12
제11항에서,상기 전자소자는 상기 제1배선과 상기 제2배선의 연결을 위한 추가의 스위칭 소자를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 응용방법
|
| 13 |
13
인간의 의도하는 음성신호에 대한 뇌파 신호를 추출하는 단계와;추출된 상기 뇌파 신호를 이용하여 인간이 의도하는 음성신호를 파악하는 단계를 포함하며,상기 음성신호의 파악 단계에서는 상호 교차하는 크로스 어레이 배선을 포함하는 시냅스 특성의 전자소자를 사용하며,상기 시냅스 특성의 전자소자는 상기 크로스 어레이 배선 사이에 위치하며 산소이동을 통해 가변저항으로 작용하는 가변저항층을 포함하는 음성신호 인식방법
|
| 14 |
14
제13항에서,달팽이관 신호를 추출하는 단계와;상기 뇌파 신호와 상기 달팽이관 신호를 사전처리하여 스파이킹 뉴런으로 변환하는 단계를 더 포함하며,상기 시냅스 특성의 전자소자에는 상기 스파이킹 뉴런이 인가되는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식방법
|
| 15 |
15
제13항에서,상기 시냅스 특성의 전자소자는,복수의 층으로 이루어져 있으며,상기 스파이킹 뉴런이 인가되며 뉴런을 포함하는 입력층,상기 제1층과 랜덤하게 연결되어 있으며, 상기 입력층보다 작은 수의 뉴런을 포함하는 제1층,제1층과 연결되어 있으며, RRAM 시냅스를 포함하는 제2층과;상기 제2층과 연결되어 있는 출력 뉴런을 포함하는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식 방법
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,상기 시냅스 특성의 전자소자는,상기 크로스 어레이 배선 사이에 위치하며 계면에서의 산소이동으로 셋 및 리셋 동작이 수행되는 티타늄질화물층과 PCMO층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 가변저항층은 상기 티타늄질화물층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식방법
|
| 18 |
18
제16항에서,상기 PCMO층은 다결정 상태인 것을 특징으로 하는 음성신호 인식방법
|
| 19 |
19
제16항에서,상기 가변저항층은 금속산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식방법
|
| 20 |
20
제19항에서,상기 가변저항층은 알루미늄 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 음성신호 인식방법
|
