요약 | 본 발명은 가변저항층을 가지는 RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 RRAM은 제1금속층; 상기 제1금속층 상에 위치하는 PCMO층; 상기 PCMO층 상에 위치하며 상기 PCMO층과 직접 접촉하는 티타늄질화물층; 상기 티타늄질화물층 상에 위치하는 가변저항층; 상기 알루미늄 산화물층 상에 위치하는 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다. |
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Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) |
CPC | H01L 27/11507(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130149988 (2013.12.04) |
출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1529655-0000 (2015.06.11) |
공개번호/일자 | 10-2015-0064985 (2015.06.12) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20150619) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.12.04) |
심사청구항수 | 4 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 박상수 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
2 | 황현상 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 인비전 특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.12.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1110994-14 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0821657-88 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.01.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0075391-83 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.01.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0075390-37 |
6 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2015.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0118851-73 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.04.20 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2015-0383404-80 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.04.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0383403-34 |
9 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0288994-80 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
번호 | 청구항 |
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6 제1방향으로 연장된 다수의 제1배선;상기 제1배선 상에 위치하며, 상기 제1배선과 교차하는 제2방향으로 연장된 다수의 제2배선을 포함하며,상기 제1배선과 상기 제2배선은 교차점에서 RRAM으로 연결되어 있으며,상기 RRAM은 순차적으로 적층된 PCMO층, 티타늄질화물층 및 알루미늄 산화물층을 포함하며, 상기 티타늄질화물층과 상기 PCMO층은 직접 접촉되어 있는 시냅스 특성의 전자소자 |
7 |
7 제6항에서,상기 PCMO층은 다결정 상태인 것을 특징으로 하는 시냅스 특성의 전자소자 |
8 |
8 제7항에서,상기 제1배선은 백금을 포함하여 이루어지며,상기 제2배선은 텅스텐과 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 시냅스 특성의 전자소자 |
9 |
9 제6항에서,상기 전자소자는 상기 제1배선과 상기 제2배선의 연결을 위한 추가의 스위칭 소자를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 시냅스 특성의 전자소자 |
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지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
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1 | KR1020150064986 | KR | 대한민국 | FAMILY |
2 | US20150154469 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
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DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-1529655-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20131204 출원 번호 : 1020130149988 공고 연월일 : 20150619 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150430 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 가변저항층을 가지는 RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 100,500 원 | 2015년 06월 12일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 64,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 64,000 원 | 2019년 03월 19일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 64,000 원 | 2020년 03월 26일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.12.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1110994-14 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
3 | 의견제출통지서 | 2014.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0821657-88 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.01.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0075391-83 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.01.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0075390-37 |
6 | 최후의견제출통지서 | 2015.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0118851-73 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.04.20 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2015-0383404-80 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.04.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0383403-34 |
9 | 등록결정서 | 2015.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0288994-80 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
기술번호 | KST2014058796 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
기술명 | 가변저항층을 가지는 RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자 |
기술개요 |
본 발명은 가변저항층을 가지는 RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 RRAM은 제1금속층; 상기 제1금속층 상에 위치하는 PCMO층; 상기 PCMO층 상에 위치하며 상기 PCMO층과 직접 접촉하는 티타늄질화물층; 상기 티타늄질화물층 상에 위치하는 가변저항층; 상기 알루미늄 산화물층 상에 위치하는 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | ㅡ |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | ㅡ |
도입시고려사항 | ㅡ |
과제고유번호 | 1345179785 |
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세부과제번호 | 2012-0009461 |
연구과제명 | 뉴로모픽(Neuromorphic) 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 재단법인한국연구재단 |
연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201209~201802 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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