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기판상에 순차적으로 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 p형 반도체층, 활성층 및 상기 n형 반도체층의 일부가 식각되어 형성된 노출홈; 및 상기 노출홈의 저면에서 구비되며, 상기 활성층의 측방에서 상기 노출홈으로 발광된 빛을 상방으로 반사하도록 상협하광(上狹下廣) 형상의 반사구조체;를 포함하여 구성되며, 상기 반사구조체는 접착층을 개재해서 상기 노출홈의 저면에 접착고정되거나 상기 노출홈의 저면에 선택영역성장법에 의해 성장된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반사구조체의 표면에 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제3항에 있어서, 상기 금속반사층은 Au, Ag, Al, Ni, Cu, Rh, Pd, Zn, Ru, La, Ti, Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반사구조체는, 상기 노출홈의 저면에 유전체층을 형성하고, 상기 유전체층의 일부를 개구시킨 후 반도체층을 성장시키는 방법에 의해 성장된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제6항에 있어서, 상기 노출홈 저면에 형성되는 유전체층은 SiO2, SiOx, SiN, SiNx, Al2O3, GaO 중 적어도 어느 하나로 이뤄진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제6항에 있어서, 상기 유전체층의 개구 형상은 스트립 형상, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 링 형상 중 적어도 어느 하나의 형상이 개별 또는 열을 이루어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 반사구조체의 표면에 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제9항에 있어서, 상기 금속반사층은 Au, Ag, Al, Ni, Cu, Rh, Pd, Zn, Ru, La, Ti, Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제4항 또는 제10항에 있어서, 상기 금속반사층이 상기 n형 반도체층의 상면에 구비된 n형금속층과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 복수로 구성되되, 복수의 노출홈은 소정 길이로 연장형성되어 상호 이격된 줄무늬 형태로 형성되며, 상기 반사구조체는 각 노출홈의 길이방향을 따라 선형 또는 섬형의 형태로 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 적어도 하나의 메인 노출홈과 상기 메인 노출홈에서 연장된 복수의 서브 노출홈을 포함하여 구성되되, 상기 복수의 서브 노출홈은 소정 길이로 연장형성되어 상호 이격된 줄무늬 형태로 형성되며, 상기 반사구조체는 상기 메인 노출홈과 서브 노출홈 중 적어도 어느 하나의 홈의 길이방향을 따라 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 복수로 구성되되, 복수의 노출홈은 각각 환형의 형상으로 형성되어 상호 이격되도록 구성되며, 상기 반사구조체는 각 노출홈의 중심부에 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 연장형성되어 상호 이격된 줄무늬 형태로 형성의 라인형 노출홈 및 환형 형상으로 형성된 환형 노출홈을 포함하여 구성되되, 상기 반사구조체는 상기 라인형 노출홈의 길이방향을 따라 구비됨과 함께 상기 환형 노출홈의 중심부에 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 복수로 구성되되, 복수의 노출홈은 소정 길이로 연장형성되어 상호 이격된 줄무늬 형태로 형성되며, 상기 반사구조체는 각 노출홈의 길이방향을 따라 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 반사구조체는 n형 도핑된 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제17항에 있어서, 상기 반사구조체의 표면에 구조체용 n형 전극이 적층되고, 상기 구조체용 n형 전극의 표면에 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층이 증착된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제18항에 있어서, 상기 금속반사층은 Au, Ag, Al, Ni, Cu, Rh, Pd, Zn, Ru, La, Ti, Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제18항에 있어서, 상기 구조체용 n형 전극이 상기 n형 반도체층의 상면에 구비된 n형금속층과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 반도체층과 상기 활성층의 사이에는 전자 차단층이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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(a) 기판상에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계; (b) 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 p형 반도체층, 활성층 및 상기 n형 반도체층의 일부를 식각하여 노출홈을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 활성층의 측방에서 상기 노출홈으로 발광된 빛을 상방으로 반사하도록 상기 노출홈의 저면에 상협하광(上狹下廣) 형상의 반사구조체를 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며, 상기 (c) 단계에서, 상기 반사구조체는 접착층을 개재해서 상기 노출홈의 저면에 접착고정하거나 상기 노출홈의 저면에 선택영역성장법에 의해 성장시킴에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제22항에 있어서, 상기 반사구조체를 상기 노출홈의 저면에 접착고정하기 이전에 상기 반사구조체의 표면에 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제22항 또는 제24항에 있어서, 상기 (c) 단계 이전에, (pc1) 상기 노출된 n형 반도체층의 상면 일부에 n형금속층을 형성하는 단계; (pc2) 상기 p형 반도체층의 상면에 p형금속층을 형성하는 단계; (pc3) 상기 n형금속층의 상면에 n형 전극을 형성하고, 상기 p형금속층의 상면에 p형 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하며, 상기 (pc1)단계, (pc2)단계, (pc3)단계 중 어느 하나의 단계 이후에 접착층을 개재해서 상기 반사구조체를 상기 노출홈의 저면에 접착고정하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제22항에 있어서, 상기 (c) 단계 이후에, (d) 상기 노출된 n형 반도체층의 상면 일부에 n형금속층을 형성하는 단계; (e) 상기 p형 반도체층의 상면에 p형금속층을 형성하는 단계; (f) 상기 반사구조체의 표면에 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층을 형성하는 단계; (g) 상기 n형금속층의 상면에 n형 전극을 형성하고, 상기 p형금속층의 상면에 p형 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제26항에 있어서, 상기 (d) 단계에서, 상기 n형금속층과 동일한 재질로 상기 반사구조체의 표면에 구조체용 n형 전극을 상기 n형금속층과 함께 형성하고, 상기 (f) 단계에서, 상기 구조체용 n형 전극의 표면에 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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28
제26항에 있어서, 상기 (f) 단계가 (g) 단계 이후에 실시되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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