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실리케이트 껍질과 그 내부가 비어있는(hollow) 속빈 나노입자를 산화적 조건에서 가열하여, 실리카 껍질과 그 내부에 산화망간(Mn3O4) 코어를 포함하는 속찬 나노입자로 변환하는 단계; 및 실리카 껍질과 그 내부에 산화망간(IV) 코어를 포함하는 속찬 나노입자를 환원적 조건에서 가열하여, 실리케이트 껍질과 그 내부가 비어있는 속빈 나노입자로 변환하는 단계로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 단계를 포함하는 나노입자의 구조 변환 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화적 조건은 산소 또는 산소 5몰% 이상을 포함하는 혼합기체를 사용하는 조건인, 나노입자의 구조 변환 방법
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제1항에 있어서, 상기 환원적 조건은 수소 또는 수소 1몰% 이상을 포함하는 혼합기체를 사용하는 조건인, 나노입자의 구조 변환 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화적 조건의 가열은 300 내지 750℃ 온도범위로 수행되는 것인, 나노입자의 구조 변환 방법
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제1항에 있어서, 상기 환원적 조건의 가열은 400 내지 750℃온도범위로 수행되는 것인, 나노입자의 구조 변환 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노입자의 직경은 10 내지 500 nm인 것인, 나노입자의 구조 변환 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노입자의 껍질의 두께는 2 내지 100 nm이고, 속의 직경은 5 내지 400 nm인 나노입자의 구조 변환 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 속빈 나노입자 및 속찬 나노입자는 팔라듐, 백금, 금, 은, 로듐, 이리듐, 루테늄 및 이들의 산화물로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것인, 나노입자의 구조 변환 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 팔라듐, 백금, 금, 은, 로듐, 이리듐, 루테늄 및 이들의 산화물로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 물질은, 속빈 나노입자 및 속찬 나노입자의 껍질에 포함되는 것인, 나노입자의 구조 변환 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 환원적 조건의 가열은 150 내지 750 ℃ 온도범위에서 수행하는 것인, 나노입자의 구조 변환 방법
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