기술개요
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본 발명은 n형 반도체층의 노출면에 n전극과 접촉 특성을 향상시킬 수 있는 n전극형성층을 형성함에 따라 전기적 특성 및 광변환 효율을 개선할 수 있는 질화물 반도체 자외선 발광소자에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 질화물 반도체 자외선 발광소자는, 기판상에 순차적으로 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하며, 전류 인가를 위한 n전극, p전극이 구비된 질화물 반도체 자외선 발광소자에 있어서, 상기 p형 반도체층, 활성층 및 상기 n형 반도체층의 일부가 식각됨에 따라 노출된 상기 n형 반도체층의 노출면의 일부 또는 전부에 n전극형성층이 구비되고, 상기 n전극형성층을 커버하도록 상기 n형 반도체층 노출면의 상측에 n형 금속층이 형성되되, 상기 n전극형성층은 상기 n형 반도체층보다 밴드갭 에너지가 작도록 구성된다.
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