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기판상에 순차적으로 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광셀 블록과, 상기 질화물 반도체 발광셀 블록이 플립칩 본딩되는 서브 마운트 기판을 포함하는 플립칩 발광소자에 있어서, 하나의 질화물 반도체 발광셀 블록을 기준으로, 상기 질화물 반도체 발광셀 블록의 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 p형 반도체층, 활성층 및 상기 n형 반도체층의 일부가 식각되어 형성된 복수의 노출홈; 및 상기 노출홈의 내측에 위치하도록 상기 서브 마운트 기판의 상면에 구비되며, 상기 활성층의 측방을 통해 상기 노출홈을 향하여 발광된 빛을 상방으로 반사하도록 상협하광(上狹下廣) 형상의 반사구조체;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반사구조체는 접착층을 개재해서 상기 서브 마운트 기판의 상면에 접착고정된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반사구조체는 상기 서브 마운트 기판의 상면 일부를 식각하는 방식으로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반사구조체는 상기 서브 마운트 기판의 상면에 증착되는 방식으로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사구조체의 표면에 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층이 구비된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제5항에 있어서, 상기 금속반사층은 Au, Ag, Al, Ni, Cu, Rh, Pd, Zn, Ru, La, Ti, Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 복수로 구성되되, 복수의 노출홈은 소정 길이로 연장형성되어 상호 이격된 줄무늬 형태로 형성되며, 상기 반사구조체는 각 노출홈의 길이방향을 따라 구비된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 복수로 구성되되, 복수의 노출홈은 각각 환형의 형상으로 형성되어 상호 이격되도록 구성되며, 상기 반사구조체는 각 노출홈의 중심부에 구비된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 적어도 하나의 메인 노출홈과 상기 메인 노출홈에서 연장된 복수의 서브 노출홈을 포함하여 구성되되, 상기 복수의 서브 노출홈은 소정 길이로 연장형성되어 상호 이격된 줄무늬 형태로 형성되며, 상기 반사구조체는 상기 메인 노출홈과 서브 노출홈 중 적어도 어느 하나의 홈의 길이방향을 따라 구비된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 연장형성되어 상호 이격된 줄무늬 형태로 형성의 라인형 노출홈 및 환형 형상으로 형성된 환형 노출홈을 포함하여 구성되되, 상기 반사구조체는 상기 라인형 노출홈의 길이방향을 따라 구비됨과 함께 상기 환형 노출홈의 중심부에 구비된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈은 복수로 구성되되, 복수의 노출홈은 소정 길이로 연장형성되어 상호 이격된 줄무늬 형태로 형성되며, 상기 반사구조체는 각 노출홈의 길이방향을 따라 선형 또는 섬형의 형태로 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반사구조체는, 하면이 사각이 피라미드, 하면이 육각인 피라미드, 하면이 사각이고 상부 일부가 절단(truncated)된 피라미드, 하면이 육각이고 상부 일부가 절단(truncated)된 피라미드, 상부로 향할수록 폭이 좁아지는 사다리꼴, 돔 형, 반원통형 중 적어도 어느 하나의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 서브 마운트 기판의 상면에는 상기 활성층의 하방으로 발광된 빛을 상방으로 반사하는 반사플레이트층이 구비된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제13항에 있어서, 상기 반사플레이트층은 Au, Ag, Al, Ni, Cu, Rh, Pd, Zn, Ru, La, Ti, Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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15
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체 발광셀 블록과 상기 서브 마운트 기판의 사이에 충진물이 충진된 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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제15항에 있어서, 상기 충진물의 굴절률이 1 ~ 2
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제15항에 있어서, 상기 충진물이 비전도성 수지 또는 비전도성 유전체인 것을 특징으로 하는 플립칩 발광소자
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