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질화물 반도체 기판과, 상기 질화물 반도체 기판 위에 서로 이격 배치된 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하는 질화물 반도체 다이오드에 있어서,상기 질화물 반도체 기판 및 캐소드 전극 사이에 형성되고 n형으로 도핑된 제1 질화물 반도체층; 및상기 제1 질화물 반도체층 상부에 형성되고 p형으로 도핑된 제2 질화물 반도체층을 더 포함하고, 상기 제1 질화물 반도체층은 상기 애노드 전극 방향으로 연장되어 형성되는 연장부를 포함하고, 상기 제1 질화물 반도체층의 상부 일측에는 상기 캐소드 전극이 배치되고, 타측에는 상기 제2 질화물 반도체층이 배치되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 다이오드
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질화물 반도체 기판과, 상기 질화물 반도체 기판 위에 서로 이격 배치된 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함하는 질화물 반도체 다이오드에 있어서,상기 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 형성되는 반도체 이중층을 더 포함하고, 상기 반도체 이중층은 n형으로 도핑된 제1 질화물 반도체층; 및상기 제1 질화물 반도체층 상부에 형성되고 p형으로 도핑된 제2 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 다이오드
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 애노드 전극 및 캐소드 전극은 Ti, Al, Ni 및 Au로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 다이오드
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청구항 4에 있어서, 상기 질화물 반도체 기판 및 상기 애노드 전극은 쇼트키 컨택으로 접속되고, 상기 질화물 반도체 기판 및 상기 캐소드 전극은 오믹 컨택으로 접속되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 다이오드
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 질화물 반도체 기판보다 상기 제1 질화물 반도체층의 도핑 농도가 더 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 다이오드
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 질화물 반도체 기판, 제1 질화물 반도체층 및 제2 질화물 반도체층은 GaN, AlxGa1-xN(0≤x≤1) 또는 InyGa1-yN(0≤y≤1)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 다이오드
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