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그래핀 기반 ＶＯ2 적층체의 상전이 온도 제어 방법

  • 기술번호 : KST2014058817
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 기반 VO2 적층체의 상전이 온도 제어 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 기반 VO2 적층체의 상전이 온도 제어 방법은, 제1 기재, 그래핀층 및 바나듐 디옥사이드층(VO2, Vanadium Dioxide)이 순차적으로 적층되는 제1 적층체를 제조하는 제1 단계; 상기 제1 적층체로부터 상기 제1 기재를 제거하고, 상기 그래핀층을 제2 기재 상에 전사하여 제2 적층체를 형성하는 제2 단계; 및 상기 제2 적층체에 등축 스트레스를 가하는 제3 단계를 포함한다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B32B 43/00 (2006.01) C01G 31/02 (2006.01)
CPC B32B 43/00(2013.01) B32B 43/00(2013.01) B32B 43/00(2013.01)
출원번호/일자 1020120030418 (2012.03.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1339761-0000 (2013.12.04)
공개번호/일자 10-2013-0108744 (2013.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20131210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양우석 대한민국 경기 성남시 분당구
2 한승호 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 김형근 대한민국 경기 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0239053-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0000766-49
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0548155-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0788580-60
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0788586-33
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0830162-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기재, 그래핀층 및 바나듐 디옥사이드층(VO2, Vanadium Dioxide)이 순차적으로 적층되는 제1 적층체를 제조하는 제1 단계;상기 제1 적층체로부터 상기 제1 기재를 제거하고, 상기 그래핀층을 제2 기재 상에 전사하여 제2 적층체를 형성하는 제2 단계; 및 상기 제2 적층체에 등축 스트레스를 가하는 제3 단계를 포함하고, 상기 제1 적층체는, 상기 제1 기재 및 그래핀층 사이에 형성되거나, 또는 상기 그래핀층 및 바나듐 디옥사이드층 사이에 형성되는 육방정계 질화붕소층(h-BN, Hexagonal Boron Nitride)을 더 포함하는 그래핀 기반 VO2 적층체의 상전이 온도 제어 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제1 단계는, 제1 기재 상에 그래핀을 성장시켜 그래핀층을 형성하는 1-1 단계; 및상기 그래핀층 상부에 바나듐 디옥사이드를 증착하여 바나듐 디옥사이드층을 형성하는 1-2 단계를 포함하는 그래핀 기반 VO2 적층체의 상전이 온도 제어 방법
3 3
삭제
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 육방정계 질화붕소층이 상기 제1 기재 및 그래핀층 사이에 형성되는 경우에 있어서, 상기 제1-1 단계는, 상기 제1 기재 상에 육방정계 질화붕소층을 형성하는 단계; 및 상기 육방정계 질화붕소층 상에서 그래핀을 성장시켜 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 기반 VO2 적층체의 상전이 온도 제어 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서,상기 제2 기재는 유연성을 가지는 기재로, 접착 테이프(adhesive tape), 풀(glue), 에폭시수지(epoxy resin), 광연화용 테이프, 열 박리성 테이프 또는 수용성 테이프인 그래핀 기반 VO2 적층체의 상전이 온도 제어 방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 제3 단계는, 상기 제2 적층체의 상하부에 압축력을 가하거나, 상기 제2 적층체를 한 쌍의 롤러에 통과시키거나, 또는 상기 제2 적층체의 양측에 인장력을 가하는 단계인 그래핀 기반 VO2 적층체의 상전이 온도 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 삼성코닝정밀소재 에너지기술개발사업 나노 박막 원천소재를 이용한 태양광 유입량 자동조절 유리 개발