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탄소 나노구조물 패턴 및 이의 제조 방법, 그리고 탄소 나노구조물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

기술번호 : KST2014058859
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본원은, 기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 단계, 상기 금속 촉매층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 금속 촉매층 및 상기 마스크층을 식각하여 측면에 금속 촉매층이 노출되어 있는 주형 패턴을 형성하는 단계, 상기 주형 패턴의 금속 촉매층 측면에 탄소 나노구조물 층을 성장시키는 단계, 및 상기 주형 패턴의 금속 촉매층 및 마스크층의 일부 또는 전체를 제거하여 탄소 타노구조물 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 탄소 나노구조물 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.또한, 본원은 탄소 나노구조물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 누설 전류가 작으며 대형 기판 상에 대형 크기로 제조할 수 있으며 대량 생산이 가능한 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴된 금속 촉매층 측면을 따라 형성된 나노리본 형태의 탄소 나노구조물 층을 포함하는 탄소 나노구조물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC	B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01)
출원번호/일자	1020100080016 (2010.08.18)
출원인	세종대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1219769-0000 (2013.01.02)
공개번호/일자	10-2011-0018851 (2011.02.24) 문서열기
공고번호/일자	(20130118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020090076419 \| 2009.08.18
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.08.18)
심사청구항수	15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	세종대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	정종완	대한민국	서울특별시 성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	세종대학교산학협력단		서울특별시 광진구 능동로 *** (군

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.08.18	수리 (Accepted)	1-1-2010-0532730-27
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2011.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2011-0090072-82
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.04.13	수리 (Accepted)	4-1-2011-5073277-77
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.10.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.11.18	수리 (Accepted)	9-1-2011-0090705-38
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.07.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0424880-27
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.08.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0682131-97
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.08.24	수리 (Accepted)	1-1-2012-0682129-05
9	등록결정서 Decision to grant	2012.12.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0800725-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 하기 단계를 포함하는, 그래핀(graphene) 패턴의 제조 방법:기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 및 상기 마스크층을 식각하여 측면에 상기 금속 촉매층이 노출되어 있는 주형 패턴을 형성하는 단계;상기 주형 패턴의 금속 촉매층 측면에 그래핀 층을 성장시키는 단계; 및상기 주형 패턴의 금속 촉매층 및 마스크층의 일부 또는 전체를 제거하여 상기 그래핀 패턴을 형성하는 단계
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서,상기 금속 촉매층은 상기 그래핀 성장용 촉매로서 사용되는 전이금속을 포함하는 것인, 그래핀 패턴의 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 금속은 Cu, Fe, Ni, Co, Pt, Ir, Pd 및 Ru로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 그의 합금을 포함하는 것인, 그래핀 패턴의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 마스크층은 SiO2, SiNx, Al2O3, HfOx, 및 TiN으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 그래핀 패턴의 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 주형 패턴의 금속 촉매층 측면에 그래핀 층을 성장시키는 단계는, 탄소를 포함하는 전구체를 열 또는 플라즈마에 의하여 분해하여 상기 그래핀 층을 성장시키는 것을 포함하는 것인, 그래핀 패턴의 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 기판 및 상기 금속 촉매층 사이에 배리어(barrier) 층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 그래핀 패턴의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 배리어 층은, SiO2, SiNx, Al2O3 및 HfOx로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 그래핀 패턴의 제조 방법
9	9 삭제
10	10 삭제
11	11 삭제
12	12 삭제
13	13 하기 단계를 포함하는, 그래핀 박막 트랜지스터의 제조 방법:기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 및 상기 마스크층을 식각하여 측면에 상기 금속 촉매층이 노출되어 있는 주형 패턴을 형성하는 단계;상기 주형 패턴의 금속 촉매층 측면에 그래핀 층을 형성하는 단계;상기 주형 패턴의 금속 촉매층 및 마스크층의 일부 또는 전체를 제거하여 그래핀 패턴층을 형성하는 단계;상기 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 그래핀 패턴층과 전기적으로 접촉하는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계
14	14 삭제
15	15 삭제
16	16 제 13 항에 있어서,상기 금속 촉매층은 상기 그래핀 층 성장용 촉매로서 사용되는 금속을 포함하는 것인, 그래핀 박막 트랜지스터의 제조 방법
17	17 제 16 항에 있어서,상기 금속은 Cu, Fe, Ni, Co, Pt, Ir, Pd 및 Ru로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 그의 합금을 포함하는 것인, 그래핀 박막 트랜지스터의 제조 방법
18	18 제 13 항에 있어서,상기 마스크층은 SiO2, SiNx, Al2O3, HfOx, SOG, ZrO, 및 TiN으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 그래핀 박막 트랜지스터의 제조 방법
19	19 제 13 항에 있어서,상기 주형 패턴의 금속 촉매층 측면에 그래핀 층을 형성하는 단계는, 탄소를 포함하는 전구체를 열 또는 플라즈마에 의하여 분해하여 상기 그래핀 층을 성장시키는 것을 포함하는 것인, 그래핀 박막 트랜지스터의 제조 방법
20	20 제 13 항에 있어서,상기 기판 및 상기 금속 촉매층 사이에 배리어(barrier)층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 그래핀 박막 트랜지스터의 제조 방법
21	21 제 20 항에 있어서,상기 배리어 층은, SiO2, SiNx, Al2O3, HfOx, SOG 및 ZrO로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 그래핀 박막 트랜지스터의 제조 방법
22	22 제 13 항에 있어서,상기 그래핀 층은 나노리본 형태로 형성되는 것인, 그래핀 박막 트랜지스터의 제조 방법
23	23 삭제
24	24 삭제

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	세종대학교산학협력단	과학재단 특정기초사업	대량 생산이 가능한 고품질 그라핀 온 실리콘(graphene on silicon, GOS)제조 기술 연구
2	교육과학기술부	세종대학교산학협력단	기초연구지원 기초과학	불순물 이온주입및 측면확산법을 이용한 sub-10nm 그라핀 나노리본 트랜지스터의 제작연구

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1219769-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20100818 출원 번호 : 1020100080016 공고 연월일 : 20130118 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121231 청구범위의 항수 : 15 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 탄소 나노구조물 패턴 및 이의 제조 방법, 그리고 탄소 나노구조물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180103

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2013년 01월 02일	납입
제 4 년분	금 액	259,000 원	2015년 12월 15일	납입
제 5 년분	금 액	259,000 원	2016년 12월 20일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.08.18	수리 (Accepted)	1-1-2010-0532730-27
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2011.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2011-0090072-82
3	출원인정보변경(경정)신고서	2011.04.13	수리 (Accepted)	4-1-2011-5073277-77
4	선행기술조사의뢰서	2011.10.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2011.11.18	수리 (Accepted)	9-1-2011-0090705-38
6	의견제출통지서	2012.07.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0424880-27
7	[명세서등 보정]보정서	2012.08.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0682131-97
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.08.24	수리 (Accepted)	1-1-2012-0682129-05
9	등록결정서	2012.12.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0800725-89


기술번호	KST2014058859
자료제공기관	NTB
기술공급기관	세종대학교
기술명	탄소 나노구조물 패턴 및 이의 제조 방법, 그리고 탄소 나노구조물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
기술개요	본원은, 기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 단계, 상기 금속 촉매층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 금속 촉매층 및 상기 마스크층을 식각하여 측면에 금속 촉매층이 노출되어 있는 주형 패턴을 형성하는 단계, 상기 주형 패턴의 금속 촉매층 측면에 탄소 나노구조물 층을 성장시키는 단계, 및 상기 주형 패턴의 금속 촉매층 및 마스크층의 일부 또는 전체를 제거하여 탄소 타노구조물 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 탄소 나노구조물 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.또한, 본원은 탄소 나노구조물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 누설 전류가 작으며 대형 기판 상에 대형 크기로 제조할 수 있으며 대량 생산이 가능한 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴된 금속 촉매층 측면을 따라 형성된 나노리본 형태의 탄소 나노구조물 층을 포함하는 탄소 나노구조물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	트랜지스터
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스,기술협력,기술지도,기타,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345109600
세부과제번호	313-2008-2-D00383
연구과제명	불순물이온주입및측면확산법을이용한sub-10nm그라핀나노리본트랜지스터의제작연구
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	세종대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200811~201010
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345120332
세부과제번호	2008-0057449
연구과제명	대량생산이 가능한 고품질 그라핀 온 실리콘 (graphene on silicon, GOS) 제조 기술 연구
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	세종대학교 산학협력단
성과제출연도	2010
연구기간	200805~201102
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345080288
세부과제번호	2008-313-D00383
연구과제명	불순물 이온주입 및 측면 확산법을 이용한 sub-10 nm 그라핀 나노리본 트랜지스터의 제작 연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국학술진흥재단
연구주관기관명	세종대학교
성과제출연도	2008
연구기간	200811~201010
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345120332
세부과제번호	2008-0057449
연구과제명	대량생산이 가능한 고품질 그라핀 온 실리콘 (graphene on silicon, GOS) 제조 기술 연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	세종대학교 산학협력단
성과제출연도	2010
연구기간	200805~201102
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020100080016]	탄소 나노구조물 패턴 및 이의 제조 방법, 그리고 탄소 나노구조물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법	새창보기

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