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기판 상에 복수의 탄소나노튜브로 이루어진 탄소나노튜브 필러를 상향 성장시키는 단계;상기 탄소나노튜브 필러를 액체 또는 증기와 접촉시켜 고밀화하는 단계; 및상기 고밀화된 탄소나노튜브 필러의 하부 및 상기 기판의 표면에 금속 부착층을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 에미터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 부착층을 형성하는 단계는,상기 고밀화된 탄소나노튜브 필러의 상부를 포함하는 부분에 레지스트를 코팅하는 단계;상기 레지스트가 코팅되지 않은 상기 탄소나노튜브 필러의 하부 및 상기 기판의 표면을 도금하는 단계; 및상기 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 에미터 제조방법
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제2항에 있어서,상기 도금은 전기도금법에 의해 수행하는 것인 탄소나노튜브 에미터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 부착층의 금속은 구리, 니켈, 크롬, 아연, 주석, 철, 은, 금, 백금, 팔라듐, 코발트, 금, 백금, 납, 타이타늄, 탄탈럼, 알루미늄, 인듐, 규소, 텅스텐, 몰리브덴 및 이들의 합금 중에서 선택되는 어느 하나인 탄소나노튜브 에미터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 필러를 고밀화하는 단계는,상기 탄소나노튜브 필러를 금속 산화물 전구체 용액에 접촉시킨 후 열처리하여 상기 탄소나노튜브 필러를 고밀화하는 동시에 상기 탄소나노튜브 필러를 금속 산화물로 코팅하는 것인 탄소나노튜브 에미터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 필러를 고밀화하는 단계 후에,상기 고밀화된 탄소나노튜브 필러를 금속 산화물 전구체 용액에 접촉시킨 후 열처리하여 상기 고밀화된 탄소나노튜브 필러를 금속 산화물로 코팅하는 단계를 더 포함하는 탄소나노튜브 에미터 제조방법
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제5항 또는 제6항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체는 니켈, 코발트, 철, 구리, 은, 타이타늄, 아연, 로듐, 주석, 카드뮴, 크롬, 베릴륨, 팔라듐, 인듐, 백금, 금, 규소, 텅스텐, 알루미늄, 몰리브덴 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 금속염인 탄소나노튜브 에미터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 필러를 수직 성장시키는 단계는,상기 기판 상에 패턴화된 촉매층을 형성하는 단계; 및화학기상증착법을 이용하여 상기 패턴화된 촉매층으로부터 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 에미터 제조방법
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기판;상기 기판 상에 상향으로 배향되고, 복수의 탄소나노튜브들이 응집되어 고밀화된 탄소나노튜브 필러; 및상기 고밀화된 탄소나노튜브 필러의 하부 및 상기 기판의 표면에 형성된 금속 부착층을 포함하는 탄소나노튜브 에미터
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제9항에 있어서, 상기 고밀화된 탄소나노튜브 필러에서 적어도 상기 금속 부착층이 형성되지 않은 부분에 금속 산화물이 코팅된 것인 탄소나노튜브 에미터
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제9항에 있어서,상기 금속 부착층의 금속은 구리, 니켈, 크롬, 아연, 주석, 철, 은, 금, 백금, 팔라듐, 코발트, 금, 백금, 납, 타이타늄, 탄탈럼, 알루미늄, 인듐, 규소, 텅스텐, 몰리브덴 및 이들의 합금 중에서 선택되는 어느 하나인 탄소나노튜브 에미터
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제9항에 있어서,상기 금속 산화물은 니켈, 코발트, 철, 구리, 은, 타이타늄, 아연, 로듐, 주석, 카드뮴, 크롬, 베릴륨, 팔라듐, 인듐, 백금, 금, 규소, 텅스텐, 알루미늄, 몰리브덴 및 이들의 합금 중에서 선택되는 어느 하나의 산화물인 탄소나노튜브 에미터
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제9항 및 제10항 중 어느 한 항의 탄소나노튜브 에미터를 포함하는 캐소드;상기 캐소드 상부에 이격되어 배치된 타겟층; 및상기 타겟층 상에 배치된 애노드를 포함하는 전계방출소자
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