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듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014058925
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지는, P형으로 도핑된 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되는 N형 도전 영역과, 상기 N형 도전 영역의 상면에 형성되는 인장 변형된 제1 스트레스 유도층과, 상기 기판의 하면에 형성되는 압축 변형된 제2 스트레스 유도층과, 상기 기판의 상부에 상기 N형 도전 영역과 인접하여 형성되는 제1 전극과, 상기 기판의 하부에 형성되는 제2 전극을 포함한다.이에 따라, P 전극에 가까운 영역에서는 홀 모빌리티의 증가를 유도하며, N 전극에 가까운 영역에서는 전자 모빌리티의 증가를 유도할 수 있다.
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110119703 (2011.11.16)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1317499-0000 (2013.10.04)
공개번호/일자 10-2013-0053961 (2013.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20131015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.16)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김덕기 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0906689-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0007353-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0129653-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0360994-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0360989-14
7 등록결정서
Decision to grant
2013.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0672739-37
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번호 청구항
1 1
P형으로 도핑된 기판;상기 기판의 상부에 형성되는 N형 도전 영역;상기 N형 도전 영역의 상면에 형성되는 인장 변형된 제1 스트레스 유도층;상기 기판의 하면에 형성되는 압축 변형된 제2 스트레스 유도층; 및상기 기판의 상부에 상기 N형 도전 영역과 인접하여 형성되는 제1 전극;상기 기판의 하부에 형성되는 제2 전극을 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 N형 도전 영역과 상기 제1 스트레스 유도층 사이, 또는 상기 기판과 상기 제2 스트레스 유도층 사이에 형성되는 산화물층을 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
3 3
N형으로 도핑된 기판;상기 기판 하부의 일 측에 형성되는 N형 도전 영역;상기 기판 하부의 타 측에 형성되는 P형 도전 영역;상기 기판의 하면에 형성되되, 상기 N형 도전 영역에 대응하여 형성되는 인장 변형된 제1 스트레스 유도층;상기 기판의 하면에 형성되되, 상기 P형 도전 영역에 대응하여 형성되는 압축 변형된 제2 스트레스 유도층;상기 P형 도전 영역에 형성되는 제1 전극; 및상기 N형 도전 영역에 형성되는 제2 전극을 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
4 4
제3항에 있어서,상기 N형 도전 영역의 상면, 또는 상기 기판의 하면과 상기 N형 또는 P형 도전 영역 사이에 형성되는 산화물층을 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
5 5
P형으로 도핑된 기판;상기 기판 상부의 일 측에 형성되는 N형 도전 영역;상기 기판 상부의 타 측에 형성되는 P형 도전 영역;상기 기판의 상면에 형성되되, 상기 N형 도전 영역에 대응하여 형성되는 인장 변형된 제1 스트레스 유도층;상기 기판의 상면에 형성되되, 상기 P형 도전 영역에 대응하여 형성되는 압축 변형된 제2 스트레스 유도층;상기 P형 도전 영역에 형성되는 제1 전극; 및상기 N형 도전 영역에 형성되는 제2 전극을 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
6 6
제5항에 있어서,상기 기판의 하면, 또는 상기 기판의 상면과 상기 N형 또는 P형 도전 영역 사이에 형성되는 산화물층을 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제1 스트레스 유도층 또는 상기 제2 스트레스 유도층은,하나 이상의 반사방지 코팅층 또는 투명 전극층으로 형성되는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
8 8
P형으로 도핑된 기판의 상부에 N형 도핑 물질을 이용하여 N형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 N형 도전 영역의 상면에 인장 변형된 제1 스트레스 유도층을 형성하는 단계;상기 기판의 하면에 압축 변형된 제2 스트레스 유도층을 형성하는 단계; 및상기 기판의 상부 또는 하부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 N형 도전 영역과 상기 제1 스트레스 유도층 사이, 또는 상기 기판과 상기 제2 스트레스 유도층 사이에 형성되는 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
10 10
N형으로 도핑된 기판의 하부에 P형 도핑 물질을 이용하여 P형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 P형 도핑 물질의 일 측을 제거한 후, N형 도핑 물질을 접착하여 상기 P형 도전 영역의 일 측에 N형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 P형 도핑 물질과 상기 N형 도핑 물질을 제거한 후, 상기 기판의 하면에 인장 변형된 제1 스트레스 유도층을 형성하는 단계; 및상기 제1 스트레스 유도층의 일 측을 제거한 후, 상기 P형 도전 영역에 대응하여 압축 변형된 제2 스트레스 유도층을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
11 11
P형으로 도핑된 기판의 상부에 N형 도핑 물질을 이용하여 N형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 N형 도핑 물질의 일 측을 제거한 후, P형 도핑 물질을 접착하여 상기 N형 도전 영역의 일 측에 P형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 N형 도핑 물질과 상기 P형 도핑 물질을 제거한 후, 상기 기판의 상면에 인장 변형된 제1 스트레스 유도층을 형성하는 단계; 및상기 제1 스트레스 유도층의 일 측을 제거한 후, 상기 P형 도전 영역에 대응하여 압축 변형된 제2 스트레스 유도층을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1 스트레스 유도층은 상기 N형 도전 영역에 대응하고, 상기 제2 스트레스 유도층은 상기 P형 도전 영역에 대응하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
13 13
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 N형 또는 P형 도전 영역에 각각 연결되는 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
14 14
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1 스트레스 유도층과 상기 제2 스트레스 유도층의 일부가 서로 오버랩하도록 형성하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
15 15
제10항에 있어서,상기 기판의 상면, 또는 상기 기판의 하면과 상기 제1 스트레스 유도층 또는 제2 스트레스 유도층 사이에 산화물층 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 제조방법
16 16
제11항에 있어서,상기 기판의 하면, 또는 상기 기판의 상면과 상기 제1 스트레스 유도층 또는 상기 제2 스트레스 유도층 사이에 산화물층 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.