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P형으로 도핑된 기판;상기 기판의 상부에 형성되는 N형 도전 영역;상기 N형 도전 영역의 상면에 형성되는 인장 변형된 제1 스트레스 유도층;상기 기판의 하면에 형성되는 압축 변형된 제2 스트레스 유도층; 및상기 기판의 상부에 상기 N형 도전 영역과 인접하여 형성되는 제1 전극;상기 기판의 하부에 형성되는 제2 전극을 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 N형 도전 영역과 상기 제1 스트레스 유도층 사이, 또는 상기 기판과 상기 제2 스트레스 유도층 사이에 형성되는 산화물층을 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
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N형으로 도핑된 기판;상기 기판 하부의 일 측에 형성되는 N형 도전 영역;상기 기판 하부의 타 측에 형성되는 P형 도전 영역;상기 기판의 하면에 형성되되, 상기 N형 도전 영역에 대응하여 형성되는 인장 변형된 제1 스트레스 유도층;상기 기판의 하면에 형성되되, 상기 P형 도전 영역에 대응하여 형성되는 압축 변형된 제2 스트레스 유도층;상기 P형 도전 영역에 형성되는 제1 전극; 및상기 N형 도전 영역에 형성되는 제2 전극을 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
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제3항에 있어서,상기 N형 도전 영역의 상면, 또는 상기 기판의 하면과 상기 N형 또는 P형 도전 영역 사이에 형성되는 산화물층을 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
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P형으로 도핑된 기판;상기 기판 상부의 일 측에 형성되는 N형 도전 영역;상기 기판 상부의 타 측에 형성되는 P형 도전 영역;상기 기판의 상면에 형성되되, 상기 N형 도전 영역에 대응하여 형성되는 인장 변형된 제1 스트레스 유도층;상기 기판의 상면에 형성되되, 상기 P형 도전 영역에 대응하여 형성되는 압축 변형된 제2 스트레스 유도층;상기 P형 도전 영역에 형성되는 제1 전극; 및상기 N형 도전 영역에 형성되는 제2 전극을 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
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6 |
6
제5항에 있어서,상기 기판의 하면, 또는 상기 기판의 상면과 상기 N형 또는 P형 도전 영역 사이에 형성되는 산화물층을 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
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7
제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제1 스트레스 유도층 또는 상기 제2 스트레스 유도층은,하나 이상의 반사방지 코팅층 또는 투명 전극층으로 형성되는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지
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8
P형으로 도핑된 기판의 상부에 N형 도핑 물질을 이용하여 N형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 N형 도전 영역의 상면에 인장 변형된 제1 스트레스 유도층을 형성하는 단계;상기 기판의 하면에 압축 변형된 제2 스트레스 유도층을 형성하는 단계; 및상기 기판의 상부 또는 하부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
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9
제8항에 있어서,상기 N형 도전 영역과 상기 제1 스트레스 유도층 사이, 또는 상기 기판과 상기 제2 스트레스 유도층 사이에 형성되는 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
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10 |
10
N형으로 도핑된 기판의 하부에 P형 도핑 물질을 이용하여 P형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 P형 도핑 물질의 일 측을 제거한 후, N형 도핑 물질을 접착하여 상기 P형 도전 영역의 일 측에 N형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 P형 도핑 물질과 상기 N형 도핑 물질을 제거한 후, 상기 기판의 하면에 인장 변형된 제1 스트레스 유도층을 형성하는 단계; 및상기 제1 스트레스 유도층의 일 측을 제거한 후, 상기 P형 도전 영역에 대응하여 압축 변형된 제2 스트레스 유도층을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
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11
P형으로 도핑된 기판의 상부에 N형 도핑 물질을 이용하여 N형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 N형 도핑 물질의 일 측을 제거한 후, P형 도핑 물질을 접착하여 상기 N형 도전 영역의 일 측에 P형 도전 영역을 형성하는 단계;상기 N형 도핑 물질과 상기 P형 도핑 물질을 제거한 후, 상기 기판의 상면에 인장 변형된 제1 스트레스 유도층을 형성하는 단계; 및상기 제1 스트레스 유도층의 일 측을 제거한 후, 상기 P형 도전 영역에 대응하여 압축 변형된 제2 스트레스 유도층을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
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12
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1 스트레스 유도층은 상기 N형 도전 영역에 대응하고, 상기 제2 스트레스 유도층은 상기 P형 도전 영역에 대응하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
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13
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 N형 또는 P형 도전 영역에 각각 연결되는 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
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14
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 제1 스트레스 유도층과 상기 제2 스트레스 유도층의 일부가 서로 오버랩하도록 형성하는 듀얼 스트레스를 가지는 태양전지 제조방법
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15
제10항에 있어서,상기 기판의 상면, 또는 상기 기판의 하면과 상기 제1 스트레스 유도층 또는 제2 스트레스 유도층 사이에 산화물층 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 제조방법
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제11항에 있어서,상기 기판의 하면, 또는 상기 기판의 상면과 상기 제1 스트레스 유도층 또는 상기 제2 스트레스 유도층 사이에 산화물층 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 스트레스를 가지는 제조방법
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