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베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 위에 질화물 소재의 질화물 핵 성장층을 형성하는 핵 성장층 형성 단계;Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, Ⅲ족 또는 Ⅴ족 소스 중에 적어도 하나의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 상기 질화물 핵 성장층 위에 Ⅲ-Ⅴ족 소재의 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계;상기 버퍼층 위에 pn 접합을 갖는 반도체층을 형성하는 반도체층 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 핵 성장층 형성 단계에서,Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, Ⅲ족 또는 Ⅴ족 소스 중에 하나의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 Ⅲ-Ⅴ족 소재의 질화물 핵 성장층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 핵 성장층 형성 단계 및 상기 버퍼층 형성 단계를 연속적으로 진행하여 Ⅲ-Ⅴ족 소재의 질화물 핵 성장층과 버퍼층을 연속하여 형성하는 것을 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 핵 성장층 형성 단계 및 상기 버퍼층 형성 단계를 연속적으로 진행할 때,상기 Ⅲ족 소스를 일정하게 공급하는 상태에서, 상기 Ⅴ족 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 상기 질화물 핵 성장층 및 상기 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층 형성 단계에서,상기 Ⅲ족 소스를 일정하게 공급하는 상태에서, 상기 Ⅴ족 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 상기 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN 중에 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체층 형성 단계는,상기 버퍼층 위에 n형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판은 사파이어, 실리콘(Si), 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 갈륨 비소(GaAs), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 및 산화 마그네슘(MgO) 중의 하나 또는 이들의 화합물로 제조된 기판인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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사파이어 기판을 준비하는 단계;상기 사파이어 기판 위에 AIN의 질화물 핵 성장층을 형성하는 핵 성장층 단계;Al의 소스를 일정하게 공급하는 상태에서, N의 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 상기 질화물 핵 성장층 위에 AlN의 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계;상기 버퍼층 위에 pn 접합을 갖는 반도체층을 형성하는 반도체층 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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