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기판;상기 기판상에 형성된 씨드층;상기 씨드층 상에 형성된 제1 전극 패턴으로 이루어진 제1 전극층;상기 제1 전극 패턴 상에 형성된 유전체 패턴으로 이루어진 유전체층;상기 제1 전극 패턴 및 상기 유전체 패턴에 의하여 노출된 씨드층으로부터 성장된 복수의 광흡수부들을 포함하고, 상기 광흡수부가 상기 유전체층 상부면을 기준으로 상기 씨드층과 수직인 측면을 갖는 광흡수층; 및 상기 광흡수층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하는 III-V족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 측면은 결정면 중 {110}면에 평행한 면인 III-V족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 기판은 5°~ 50°각도로 경사진 III-V족 화합물 태양전지
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제3항에 있어서,상기 광흡수부는 상기 경사진 방향으로 연장되어 형성된 III-V족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판인 III-V족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광흡수부는 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 접합구조로 이루어진 III-V족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광흡수부는 III족 및 V족 원소의 단일접합 구조 또는 다중접합 구조로 이루어지는 III-V족 화합물 태양전지
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8
제1항에 있어서,상기 씨드층은 p-GaAs로 형성된 III-V족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 패턴은 텅스텐(W)으로 형성되는 III-V족 화합물 태양전지
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10
제1항에 있어서,상기 유전체 패턴은 SiOx 및 SiNx로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 III-V족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제2 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide) 및 ZnO(Zinc Oxide)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 III-V족 화합물 태양전지
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5°~ 50°각도로 경사진 기판상에 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 상에 제1 전극 패턴으로 이루어진 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상에 유전체 패턴으로 이루어진 유전체층을 형성하는 단계;상기 제1 전극 패턴 및 상기 유전체 패턴에 의하여 노출된 씨드층으로부터 복수의 광흡수부들을 성장시켜, 상기 광흡수부가 상기 유전체층 상부면을 기준으로 상기 씨드층과 수직한 측면을 갖도록 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 씨드층을 형성하는 단계는, 상기 기판을 700℃ ~ 1000℃에서 1차 열처리하는 단계;400℃ ~ 500℃에서 GaAs를 성장시키는 단계; 및상기 성장된 GaAs를 600℃에서 700℃로 온도를 상승시키면서 2차 열처리하는 단계를 포함하는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 광흡수부는 상기 경사진 방향으로 연장되어 형성되는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 광흡수부는 상기 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 접합구조로 이루어지도록 형성되는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 광흡수부는, III족 및 V족 원소의 단일접합 구조 또는 다중접합 구조로 이루어진 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판인 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 씨드층은 p-GaAs로 형성되는 III-V족 화합물 태양전지의 제조방법
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