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Al2O3 기판(100);상기 Al2O3 기판(100) 위에 n-GaN층(210), 활성층(220), p-GaN(230)층 순으로 형성되며, 상기 n-GaN(210)층의 소정의 부분이 에칭된 발광구조물(200);상기 발광구조물(200) 위에 증착하되, n-GaN층(210) 및 p-GaN(230)층 상의 소정의 부분이 에칭된 절연보호막(300) 위에 상기 발광구조물에 전극을 형성시키고, 수개의 발광구조물의 직렬연결을 위해 상기 절연보호막(300) 위에 증착하는 투명전극(400);상기 직렬 연결된 수개의 발광구조물(200) 위에 형성된 n 패드전극(510) 및 p 패드전극(520); 상기 발광구조물(200) 및 다수의 전극 위에 형성되며, 일부분이 천공되어 다수의 전극 각각의 소정 영역을 제외한 나머지 부분 및 상기 발광구조물(200)을 보호하는 절연보호막(300); 상기 절연보호막(300)과 본딩금속층(700) 사에에 형성되는 반사막(600); 및상기 절연보호막(300)의 상부에 서로 절연되도록 형성되며 각각의 절연보호막(300)의 에칭된 부분을 통해서 n극 및 p극에 접속되는 본딩금속층(700); 를 포함하는 고전압 구동 발광다이오드
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제 2 항에 있어서, 상기 투명전극(400)은,ITO, SnO2, In2O3, ZnO, ZnO/Ag/ZnO 또는 ITO/Ag/ITO 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고전압 구동 발광다이오드
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고전압 구동 발광다이오드 제조방법에 있어서,(a) Al2O3 기판(100) 위에 n-GaN층(210), 활성층(220), p-GaN(230)층을 차례로 증착시키고, 상기 n-GaN층(210)의 일부를 메사 에칭하여 n-GaN층 일부를 노출시킨 후 아이솔레이션(isolation)하는 단계;(b) 상기 (a) 단계 이후, 절연보호막(300)을 증착시키고, 상기 n-GaN층(210) 및 p-GaN층(230) 위에 상기 절연보호막(300)의 소정의 부분을 에칭하는 단계;(c) 상기 (b) 단계를 통해 형성된 각각의 셀에 전극을 형성시키고 셀을 연결하기 위해 투명전극(400)을 증착하는 단계;(d) 상기 (c) 단계 이후, 발광구조물(200) 위에 n형 패드(510) 및 p형 패드 (520) 전극을 증착하는 단계;(e) 상기 (d) 단계에서 증착된 전극 위에 일부분이 천공되어 다수의 전극 각각의 소정 영역을 제외한 나머지 부분 및 상기 발광구조물(200)을 보호하는 절연보호막(300)을 증착시키고 반사막(600)을 증착하는 단계;(f) 상기 (e) 단계에서 형성된 반사막(600) 위에 절연보호막(300)을 증착시키고 상기 n-GaN층(210) 및 p-GaN층(230) 위에 상기 절연보호막(300)의 소정의 부분을 에칭하는 단계;(g) 상기 (f) 단계 이후, 본딩금속층(700)을 증착하는 단계; 를 포함하는 고전압 구동 발광다이오드 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 (c) 단계에 있어서 상기 투명전극은, ITO, SnO2, In2O3, ZnO, ZnO/Ag/ZnO 또는 ITO/Ag/ITO 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고전압 구동 발광다이오드 제조방법
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