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수직 구조 발광 다이오드에 있어서, 발광 다이오드의 최하부로부터 도전성 전극(10), 금속 지지층(Metal Receptor)(20), 확산방지 및 접합용 금속층(Barrier/Bonding Metal)(30), 오믹/리플렉터층(Ohmic/Reflector)(40), p형 반도체층(50), 상기 p형 반도체층의 일부에 삽입된 전류 차단부(90), 활성층(60), n형 전극(80)과 결합할 수 있도록 그 일면이 세정 식각된 n형 반도체층(70) 및 n형 전극(80)의 순서로 구성 요소를 포함하고,상기 n형 전극(80)이 Cr층을 포함한 둘 이상의 금속층을 포함하는 경우, 상기 n형 반도체층(70)에 Cr층, Al층, Pt층, Au층의 순서로 가깝게 배열하는 것을 특징으로 하며, 다른 금속층의 두께가 일정할 경우, Cr층의 두께가 얇아짐에 따라 발광 다이오드의 광 반사율이 증가되는 것을 특징으로 하되, 상기 확산방지 및 접합용 금속층(30)은,Ag, Ni, Al, Ti, Pd, Pt, Ru, Au, Rh, Ir, Ta, Cu, Ta로 이루어진 적어도 하나 이상의 층을 포함하는 시드 금속층과, Au-Sn, Sn, In, Au-Au, Pd-Sn 및 Pd-In을 포함하는 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 도전성 접착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 구조 발광 다이오드
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