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비전도성 폴리머 내부에 전도성 나노물질들이 배치된 센서부의 둘레를 따라 서로 이격되게 복수의 전극들을 배치하는 단계와;상기 복수의 전극들의 위치에 따라 상기 센서부를 복수의 가상 구역으로 구분하는 단계와;상기 복수의 전극들 사이의 저항 변화를 측정하는 단계와;미리 저장된 저항값과 측정된 저항 변화값을 비교하고, 저항 변화가 측정된 전극 쌍들을 판단하는 단계와;상기 복수의 가상 구역 중에서 상기 저항 변화가 측정된 전극 쌍들을 연결하는 전극 경로들이 공통으로 지나가는 가상 구역을 산출하여, 변형 위치를 판단하는 단계와;상기 산출된 가상 구역을 지나는 전극 경로로 연결되는 전극 쌍간의 저항 변화값을 초기 저항으로 나눈 것에 미리 설정된 비례상수를 곱하여, 상기 각 전극 경로에 대한 스트레인 값들을 계산하고, 상기 각 전극 경로에 대한 스트레인 값들을 통해 상기 산출된 가상 구역의 유효 스트레인을 계산하는 단계를 포함하는 다전극을 이용한 스트레인 측정방법
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비전도성 폴리머 내부에 전도성 나노물질들이 배치된 센서부의 둘레를 따라 서로 이격되게 복수의 전극들을 배치하는 단계와;상기 복수의 전극들의 위치에 따라 상기 센서부를 복수의 가상 구역으로 구분하는 단계와; 상기 복수의 전극들 사이의 저항 변화를 측정하는 단계와;상기 한 쌍의 전극씩 연결하는 전극 경로들 중에서 상기 각 가상 구역을 지나가는 전극 경로에 있는 전극 쌍들의 저항 변화값을 초기 저항으로 나눈 것에 미리 설정된 비례상수를 곱하여 상기 각 전극 경로에 대한 스트레인 값들을 각각 계산하고, 계산된 스트레인 값들을 통해 상기 복수의 가상 구역들의 유효 스트레인을 각각 계산하는 단계와;상기 가상 구역의 유효 스트레인에 따라 변형 분포 및 변형 형태를 판단하는 단계를 포함하는 다전극을 이용한 스트레인 측정 방법
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비전도성 폴리머 내부에 전도성 나노물질들이 배치된 센서부의 둘레를 따라 서로 이격되게 복수의 전극들을 배치하는 단계와;상기 복수의 전극들의 위치에 따라 상기 센서부를 복수의 가상 구역으로 구분하는 단계와;상기 복수의 전극들 사이의 저항 변화를 측정하는 단계와;미리 저장된 저항값과 측정된 저항 변화값을 비교하고, 저항 변화가 측정된 전극 쌍들을 판단하는 단계와;상기 복수의 가상 구역 중에서 상기 저항 변화가 측정된 전극 쌍들을 연결하는 전극 경로들이 공통으로 지나가는 가상 구역을 산출하여, 변형 위치를 판단하는 단계와;상기에서 산출된 가상 구역의 저항값을 통해 유효 스트레인을 산출하는 단계와;상기 복수의 가상 구역들에 각각 임의로 설정된 스트레인 값을 주고, 상기 스트레인 값에 대한 상기 각 가상 구역들의 저항 변화값을 계산하고, 상기 계산된 저항 변화값들을 통해 각 가상 구역들 유효 스트레인값을 계산하여, 상기 계산된 유효 스트레인값과 상기 설정된 스트레인 값을 비교하여, 정확도를 검증하는 단계를 포함하는 다전극을 이용한 스트레인 측정방법
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비전도성 폴리머 내부에 전도성 나노물질들이 배치된 센서부의 둘레를 따라 서로 이격되게 복수의 전극들을 배치하는 단계와;상기 복수의 전극들의 위치에 따라 상기 센서부를 복수의 가상 구역으로 구분하는 단계와; 상기 복수의 전극들 사이의 저항 변화를 측정하는 단계와;상기 한 쌍의 전극씩 연결하는 전극 경로들 중에서 상기 각 가상 구역을 지나가는 전극 경로에 있는 전극 쌍들의 저항 변화값을 이용해 각 전극 경로에 대한 스트레인 값들을 각각 계산하고, 계산된 스트레인 값들을 통해 상기 복수의 가상 구역들의 유효 스트레인을 각각 계산하는 단계와;상기 가상 구역의 유효 스트레인에 따라 변형 분포 및 변형 형태를 판단하는 단계와;상기 복수의 가상 구역들에 각각 임의로 설정된 스트레인 값을 주고, 상기 스트레인 값에 대한 상기 각 가상 구역들의 저항 변화값을 계산하고, 상기 계산된 저항 변화값들을 통해 각 가상 구역들 유효 스트레인값을 계산하여, 상기 계산된 유효 스트레인값과 상기 설정된 스트레인 값을 비교하여, 정확도를 검증하는 단계를 포함하는 다전극을 이용한 스트레인 측정방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산출된 가상 구역의 유효 스트레인은, 상기 가상 구역을 지나가는 각 전극 경로에 대한 스트레인 값들의 평균값인 다전극을 이용한 스트레인 측정 방법
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청구항 2 또는 청구항 4에 있어서,상기 가상 구역에 따른 유효 스트레인의 크기에 따라 색상을 다르게 적용하여, 변형 상태를 시각적으로 표시하는 단계를 더 포함하는 다전극을 이용한 스트레인 측정 방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극들의 개수는 상기 센서부의 면적에 비례하도록 설정되는 다전극을 이용한 스트레인 측정 방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 가상 구역의 개수는 상기 하나의 가상 구역을 지나가는 전극 경로의 개수가 0이 안되도록 설정되는 다전극을 이용한 스트레인 측정 방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 가상 구역은 매트릭스 배열 구조를 갖는 다전극을 이용한 스트레인 측정 방법
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청구항 9에 있어서,상기 가상 구역은 직사각형 매트릭스 배열 구조를 갖는 다전극을 이용한 스트레인 측정 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 복수의 가상 구역들에 각각 임의로 설정된 스트레인 값을 주고,상기 스트레인 값에 대한 상기 각 가상 구역들의 저항 변화값을 계산하고,상기 계산된 저항 변화값들을 통해 각 가상 구역들 유효 스트레인값을 계산하여,상기 계산된 유효 스트레인값과 상기 설정된 스트레인 값을 비교하여, 정확도를 검증하는 다전극을 이용한 스트레인 측정방법
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