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전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치에 있어서, 방사선 피폭에 따라 전기적 파라미터(Electrical parameter)값인 최소입력문턱전압이 열화(degradation)되는 CMOS반도체소자(1)와; 상기 CMOS반도체소자(1)의 소비전류 및 출력전압을 디지털신호로 변환하는 전압검출부(2)와; 상기 전압검출부(2)에서 출력되는 신호와 기준값과 비교하고, 감지된 신호의 변화로부터 CMOS반도체소자의 방사선 피폭에 따른 열화에 의한 특성변화를 산출하는 주제어기(3)를 포함하여 구성되되;상기 진단장치는 방사선 누적선량을 감지하기 위한 TID(Total Ionizing dose)센서(4)와 ; 상기 TID센서(4)로 정전류신호를 입력하기 위한 전압제어부(5)와 ; 상기 전자장비를 구성하는 전자소자가 방사선 누적선량에 따라 변하는 비정상적인 소비전류를 검출하는 전류검출부(6)와 ; 상기 주제어기(3)의 제어에 따라 전압을 상기 전압제어부(5)로 입력시키거나 상기 CMOS반도체소자(1)로 입력시키는 입출력제어부(7)를 포함함을 특징으로 하는 CMOS 반도체소자를 이용한 전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치
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제 1 항에 있어서, 상기 주제어기(3)에는 상기 TID센서(4)의 출력전압과 상기 CMOS반도체소자(1)의 소비전류 및 출력전압으로부터 전자장비를 구성하는 전자소자의 전기적 파라메터의 변화에 따른 전자소자의 고장을 예측하는 프로그램을 구비함을 특징으로 하는 CMOS 반도체소자를 이용한 전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치
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제 1 항에 있어서, 상기 전압검출부(2)는 상기 전류검출부, 입출력제어부, TID센서로부터 입력되는 아날로그 전압에 입력받는 전압팔로워(21a, 21b, 21c)와 ; 상기 주제어기(3)로부터 입력되는 제어신호에 따라 상기 전압팔로워로부터 입력되는 신호 중 어느 하나를 출력하는 멀티플렉서(22)와 ; 상기 멀티플렉서(22)로부터 출력되는 아날로그신호를 디지털신호로 출력하는 ADC(23)로 구성됨을 특징으로 하는 CMOS 반도체소자를 이용한 전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치
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제 1 항에 있어서, 상기 전압제어부(5)는 상기 주제어기(3)로부터 전자소자로 전달되는 디지털 제어신호를 아날로그신호로 변환하는 DAC(51)와 ; 상기 TID센서(4)로 정전류신호를 입력하기 위한 V-I 변환기(52)와 ; 증폭기들(53a, 53b)로 구성됨을 특징으로 하는 CMOS 반도체소자를 이용한 전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치
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제 1 항에 있어서, 상기 전류검출부(6)는 상기 전자소자들의 바이어스 입력 전류를 검출하는 전류검출센서(61)와 ; 전류검출센서(61)의 출력을 증폭하는 증폭기(62)로 구성됨을 특징으로 하는 CMOS 반도체소자를 이용한 전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치
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제 1 항에 있어서, 상기 입출력제어부(7)는 RF릴레이(71)임을 특징으로 하는 CMOS 반도체소자를 이용한 전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치
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