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이온 빔 조사에 의한 유무기 박막의 균일 미세 표면 전하 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014059101
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온 빔 조사에 의한 유무기 박막의 균일 미세 표면 전하 형성 방법에 관한 것으로서, 기판상에 유무기 박막을 비정질 상태로 코팅한 후, 상기 유무기 박막이 코팅된 기판에 이온 빔 에너지, 조사 이온 종류 및 이온 조사량을 변수로 각도 조사하여 상기 박막 표면의 미세 전하를 균일하게 한방향으로 형성시키는 표면 처리 방법으로 대면적에 적용이 가능하며 수치 데이터에 관계없이 여러 다른 분야에 적용이 가능하다.
Int. CL B01J 19/08 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) C01B 33/12 (2006.01) C08J 7/18 (2006.01)
CPC B01J 19/081(2013.01) B01J 19/081(2013.01) B01J 19/081(2013.01) B01J 19/081(2013.01)
출원번호/일자 1020100033292 (2010.04.12)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1164521-0000 (2012.07.04)
공개번호/일자 10-2011-0113937 (2011.10.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재상 대한민국 대구광역시 수성구
2 이찬영 대한민국 대전광역시 서구
3 박재원 대한민국 대전광역시 유성구
4 김경균 대한민국 경상남도 진주시
5 조현수 대한민국 경상남도 진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0231312-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0044525-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0648841-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-1050205-65
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1050206-11
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0290198-42
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0473608-16
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.06.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0473609-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0386554-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 수소결합을 포함하는 다이아몬드 라이크 카본(Diamond-Like-Carbon, DLC), 산화 실리콘, 질화 실리콘, 다결정 실리콘(poly crystalline silicon), 비정질 실리콘(amophous silicon), 산화 티타늄 및 폴리이미드 합성 수지(polyimide) 중 하나에 의해 형성된 유무기 박막을 비정질 상태로 코팅하는 단계; 및 상기 유무기 박막이 코팅된 기판에 일정 방향으로 이온 빔 에너지, 조사 이온 종류 및 이온 조사량을 변수로 이온 빔을 각도 조사하여 상기 유무기 박막 표면의 미세 전하를 이온빔 조사방향에 수직인 방향으로 균일하게 한 방향으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 이온 빔 에너지는 1 ~ 5keV의 범위 내에서 선택되며, 상기 이온 조사량은 3×1015 ~ 5×1015ions/cm20의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 조사에 의한 유무기 박막의 균일 미세 표면 전하 형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 조사 이온은 He, Ne, Ar, Kr, Xe중 하나인 것을 특징으로 하는 이온 빔 조사에 의한 유무기 박막의 균일 미세 표면 전하 형성 방법
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단 양성자기반공학기술개발사업 가속장치 응용 및 실용화