| 1 |
1
소정의 평탄면을 갖는 기판; 상기 기판의 수직방향으로 전기적 컨택이 가능하게 형성된 비트라인; 상기 비트라인을 중심에 두고 제 1 수평방향으로 이격된 상, 하측 양단에서 각각 좌, 우 대칭이 되도록 상기 제 1 수평방향과 수직한 제 2 수평방향으로 일정 길이를 가지며 상기 기판상에서 부양되도록 상기 비트라인에 일체로 형성되어 상기 비트라인과 함께 H형상을 갖는 4개의 캔틸레버 전극;상기 비트라인을 사이에 두고 상기 제 2 수평방향으로 일정거리 이격되어 상기 H형상의 양측 요홈부에 형성된 좌, 우측 주요 워드라인; 및상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인을 사이에 두고 상기 제 1 수평방향으로 일정거리 이격되어 상기 H형상의 양측 평면부를 따라 상기 제 2 방향으로 각각 형성된 제 1 보조 워드라인 및 제 2 보조 워드라인을 포함하여 구성되되,상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인은 상기 기판상에서 적어도 각 컨택 플러그로 지지되고,상기 제 1 보조 워드라인 및 상기 제 2 보조 워드라인은 상기 기판상에 국부적으로 형성된 절연막으로 지지되는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 4개의 캔틸레버 전극은 각각 상기 제 1 보조 워드라인과 상기 좌, 우측 주요 워드라인 사이 및 상기 제 2 보조 워드라인과 상기 좌, 우측 주요 워드라인 사이에서 수평으로 휘어지며 동작하는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 좌, 우측 주요 워드라인은 상기 각 캔틸레버 전극과 마주보는 측벽에 전하트랩 스페이서가 형성된 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 각 캔틸레버 전극은 상기 좌, 우측 주요 워드라인과 마주보는 측벽에 전하트랩 스페이서가 형성된 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
|
| 5 |
5
제 2 항에 있어서,상기 각 캔틸레버 전극은 상기 좌, 우측 주요 워드라인과 마주보는 측벽에 전하트랩 스페이서가 형성된 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각 컨택 플러그는 측면으로 상기 절연막과 동일한 물질이 더 감싸진 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
|
| 8 |
8
제 1 항에 의한 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자를 단위 메모리 셀로 하여 상기 제 2 수평방향으로 상기 비트라인이 일정거리 이격되며 상기 메모리 셀이 복수 개 배열한 제 1 셀 스트링; 및상기 제 1 셀 스트링의 상기 제 1 보조 워드라인 또는 상기 제 2 보조 워드라인을 공유하며 상기 제 1 셀 스트링과 동일한 구조를 갖는 제 2 셀 스트링으로 상기 제 1 셀 스트링 일측에서 상기 제 1 수평방향으로 확장 형성된 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 기판상에 상기 제 1 셀 스트링과 상기 제 2 셀 스트링이 상기 제 1 수평방향으로 한번 이상 교대로 반복되어 형성된 메모리 어레이층이 상기 각 컨택 플러그와 상기 절연막을 사이에 두고 복수 층으로 수직 적층 되고,상기 각 컨택 플러그를 통하여 상하 메모리 어레이층의 상기 각 비트라인, 상기 각 좌, 우측 주요 워드라인을 수직하게 전기적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 각 컨택 플러그는 측면으로 상기 절연막과 동일한 물질이 더 감싸진 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이
|
| 11 |
11
소정의 평탄면을 갖는 기판상에 절연막 층을 형성하는 제 1 단계;상기 절연막 층 상에 도전층을 형성하는 제 2 단계;상기 도전층을 식각하여 제 1, 2 보조 워드라인, 좌, 우측 주요 워드라인, 비트라인 및 4개의 캔틸레버 전극을 형성하는 제 3 단계; 및상기 제 1, 2 보조 워드라인, 좌, 우측 주요 워드라인, 비트라인 및 4개의 캔틸레버 전극을 마스크로 하여 상기 절연막 층을 습식 식각 또는 불산 기상 식각(HF vapor etch) 방식으로 식각하여, 상기 4개의 캔틸레버 전극이 상기 기판상에서 부양되도록 하는 제 4 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 4개의 캔틸레버 전극의 폭, 상기 각 캔틸레버 전극과 상기 좌, 우측 주요 워드라인 사이의 간격 및 상기 각 캔틸레버 전극과 상기 제 1, 2 보조 워드라인 사이의 간격을 결정하기 위한 미세 패턴 형성 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
|
| 13 |
13
제 11 항에 있어서,상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 각 캔틸레버 전극과 상기 좌, 우측 주요 워드라인 사이의 간격을 결정하기 위한 제 1 미세 패턴 형성 공정과, 상기 제 1 미세 패턴의 각 길이 방향으로 일 측벽 또는 마주보는 양 측벽에 전하트랩 스페이서를 형성하기 위한 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 제 1 미세 패턴 형성 공정 이후에 상기 전하트랩 스페이서 형성 공정과 함께 또는 상기 전하트랩 스페이서 형성 공정을 전후하여 상기 각 캔틸레버 전극의 폭 및 상기 각 캔틸레버 전극과 상기 제 1, 2 보조 워드라인 사이의 간격을 결정하기 위한 제 2 미세 패턴 형성 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
|
| 15 |
15
제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인을 각각 컨택하기 위한 컨택 플러그용 컨택 홀을 복수 개 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서,상기 제 4 단계에서 상기 절연막 층의 식각은 상기 절연막 층이 상기 제 1, 2 보조 워드라인, 상기 좌, 우측 주요 워드라인 및 상기 비트라인의 각 하부에 국부적으로 남아 있도록 식각하는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
|
| 17 |
17
제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인을 각각 컨택하기 위한 컨택 플러그용 컨택 홀 및 상기 1, 2 보조 워드라인의 지지용 컨택 홀을 각각 복수 개 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
|
| 18 |
18
제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 제 1, 2 보조 워드라인의 지지용 컨택 홀을 형성하고 상기 각 지지용 컨택 홀에 상기 절연막 층의 물질보다 식각률이 낮은 절연물질을 채운 다음 상기 절연막 층 상에 상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인을 각각 컨택하기 위한 컨택 플러그용 컨택 홀을 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 H셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
|
