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소정의 평탄면을 갖는 기판; 상기 기판의 수직방향으로 전기적 컨택이 가능하게 형성된 비트라인; 상기 비트라인을 사이에 두고 제 1 수평방향으로 서로 일정거리 이격되어 형성된 좌, 우측 주요 워드라인과 보조 워드라인; 및상기 비트라인을 중심에 두고 좌, 우 대칭적으로 상기 좌, 우측 주요 워드라인과 상기 보조 워드라인 사이로 각각 상기 제 1 수평방향과 수직한 제 2 수평방향으로 일정 길이를 가지며 상기 기판상에서 부양되도록 상기 비트라인의 양측에 일체로 형성된 좌, 우측 캔틸레버 전극을 포함하여 구성되되,상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인은 상기 기판상에서 적어도 각 컨택 플러그로 지지되고,상기 보조 워드라인은 상기 기판상에 국부적으로 형성된 절연막으로 지지되는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 보조 워드라인은 상기 각 캔틸레버 전극을 향하는 부위로 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 좌, 우측 주요 워드라인은 상기 비트라인을 사이에 두고 상기 제 2 수평방향으로 이격되고, 상기 각 캔틸레버 전극과 마주보는 측벽에 전하트랩 스페이서가 각각 형성된 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 좌, 우측 캔틸레버 전극은 상기 좌, 우측 주요 워드라인과 마주보는 각 측벽에 전하트랩 스페이서가 형성된 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
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제 3 항에 있어서,상기 좌, 우측 캔틸레버 전극은 상기 좌, 우측 주요 워드라인과 마주보는 각 측벽에 전하트랩 스페이서가 더 형성된 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
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삭제
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각 컨택 플러그는 측면으로 상기 절연막과 동일한 물질이 더 감싸진 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자
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제 1 항에 의한 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자를 단위 메모리 셀로 하여 상기 제 2 수평방향으로 상기 비트라인이 일정거리 이격되며 상기 메모리 셀이 복수 개 배열한 제 1 셀 스트링; 및상기 제 1 셀 스트링을 180도 회전시킨 구조를 갖는 제 2 셀 스트링으로 상기 제 1 셀 스트링 일측에서 상기 제 1 수평방향으로 확장 형성된 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이
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제 8 항에 있어서,상기 각 셀 스트링에 배열된 각 셀의 보조 워드라인은 일측 수평으로 이웃한 셀 스트링에 배열된 각 셀의 보조 워드라인과 상기 제 2 수평방향으로 일체로 하나의 공유 보조 워드라인으로 형성되고,상기 각 셀 스트링에 배열된 각 셀의 좌, 우측 주요 워드라인은 타측 수평으로 이웃한 셀 스트링에 배열된 특정 셀의 우, 좌측 주요 워드라인과 각각 일체로 하나의 공유 좌측 주요 워드라인 및 하나의 공유 우측 주요 워드라인으로 형성된 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이
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제 9 항에 있어서,상기 공유 좌, 우측 주요 워드라인은 각각 상기 기판상에서 하나의 공유 컨택 플러그로 지지되고, 상기 공유 보조 워드라인은 상기 기판상에 국부적으로 형성된 공유 절연막으로 지지되는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이
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제 10 항에 있어서,상기 기판상에 상기 제 1 셀 스트링과 상기 제 2 셀 스트링이 상기 제 1 수평방향으로 한번 이상 교대로 반복되어 형성된 메모리 어레이층이 상기 비트 라인 컨택 플러그, 상기 각 공유 컨택 플러그 및 상기 공유 절연막을 사이에 두고 복수 층으로 수직 적층 되고,상기 비트 라인 컨택 플러그 및 상기 각 공유 컨택 플러그를 통하여 상하 메모리 어레이층의 상기 각 비트라인 및 상기 각 공유 좌, 우측 주요 워드라인을 수직하게 전기적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이
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제 11 항에 있어서,상기 비트 라인 컨택 플러그 및 상기 각 공유 컨택 플러그는 측면으로 상기 공유 절연막과 동일한 물질이 더 감싸진 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 어레이
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소정의 평탄면을 갖는 기판상에 절연막 층을 형성하는 제 1 단계;상기 절연막 층 상에 도전층을 형성하는 제 2 단계;상기 도전층을 식각하여 좌, 우측 주요 워드라인, 보조 워드라인, 비트라인 및 좌, 우측 캔틸레버 전극을 형성하는 제 3 단계; 및상기 좌, 우측 주요 워드라인, 보조 워드라인, 비트라인 및 좌, 우측 캔틸레버 전극을 마스크로 하여 상기 절연막 층을 습식 식각 또는 불산 기상 식각(HF vapor etch) 방식으로 식각하여, 상기 좌, 우측 캔틸레버 전극이 상기 기판상에서 부양되도록 하는 제 4 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 좌, 우측 캔틸레버 전극의 폭, 상기 좌, 우측 캔틸레버 전극과 상기 좌, 우측 주요 워드라인 사이의 간격 및 상기 좌, 우측 캔틸레버 전극과 상기 보조 워드라인 사이의 간격을 결정하기 위한 미세 패턴 형성 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 좌, 우측 캔틸레버 전극과 상기 좌, 우측 주요 워드라인 사이의 간격을 결정하기 위한 제 1 미세 패턴 형성 공정과, 상기 제 1 미세 패턴의 길이 방향으로 일 측벽 또는 마주보는 양 측벽에 전하트랩 스페이서를 형성하기 위한 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 제 1 미세 패턴 형성 공정 이후에 상기 전하트랩 스페이서 형성 공정과 함께 또는 상기 전하트랩 스페이서 형성 공정을 전후하여 상기 좌, 우측 캔틸레버 전극의 폭 및 상기 좌, 우측 캔틸레버 전극과 상기 보조 워드라인 사이의 간격을 결정하기 위한 제 2 미세 패턴 형성 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
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제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인을 각각 컨택하기 위한 컨택 플러그용 컨택 홀을 복수 개 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 4 단계에서 상기 절연막 층의 식각은 상기 절연막 층이 상기 좌, 우측 주요 워드라인, 상기 보조 워드라인 및 상기 비트라인의 각 하부에 국부적으로 남아 있도록 식각하는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
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제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인을 각각 컨택하기 위한 컨택 플러그용 컨택 홀 및 상기 보조 워드라인의 지지용 컨택 홀을 각각 복수 개 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
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제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 보조 워드라인의 지지용 컨택 홀을 형성하고 상기 지지용 컨택 홀에 상기 절연막 층의 물질보다 식각률이 낮은 절연물질을 채운 다음 상기 절연막 층 상에 상기 비트라인 및 상기 좌, 우측 주요 워드라인을 각각 컨택하기 위한 컨택 플러그용 컨택 홀을 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 제조방법
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