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양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체, 이를 이용한 반도체 나노소자 및 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014059232
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온주입(Ion Implantation)을 통해 양성자(Proton)를 균일하게 주입한 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체, 이를 이용한 반도체 나노소자 및 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위해 특히, 결정이 수직 방향으로 정렬 성장된 적어도 하나의 산화아연 나노 구조체; 및 적어도 하나의 산화아연 나노 구조체에, 0.1 keV ~ 1 MeV의 에너지로 빔 조사되어 1011 입자/cm2 ~ 1018 입자/cm2의 입자 밀도로 주입된 양성자;를 포함하는 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체가 개시된다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01G 9/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01)
출원번호/일자 1020100050612 (2010.05.28)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1172508-0000 (2012.08.02)
공개번호/일자 10-2011-0131012 (2011.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한상욱 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 김계령 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0345837-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098231-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0206971-26
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0452977-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0541956-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0445800-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정이 수직 방향으로 정렬 성장된 적어도 하나의 산화아연 나노 구조체; 및상기 적어도 하나의 산화아연 나노 구조체에, 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 산화아연 나노 구조체는 사파이어, GaN, Si, SiO, ITO 및 금속 중 어느 하나의 재질로 형성된 기판에서 성장된 것을 특징으로 하는 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체
3 3
제 1항에 있어서,상기 산화아연 나노 구조체는 산화아연 나노 막대, 산화아연 나노선, 산화아연 나노점, 산화아연 나노 벨트 및 산화아연 나노벽 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체
4 4
제 1항에 있어서,상기 각 산화아연 나노 구조체는 상기 결정의 성장 길이가 0
5 5
제 4항에 있어서,상기 각 산화아연 나노 구조체는 굵기가 1 nm ~ 500 nm인 것을 특징으로 하는 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체
6 6
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체를 포함하는 반도체 나노소자
7 7
결정이 수직 방향으로 정렬 성장되어 적어도 하나의 산화아연 나노 구조체가 형성되는 단계(S100); 및양성자가 0
8 8
제 7항에 있어서,상기 산화아연 나노 구조체의 형성단계(S100)는,상기 결정의 성장 길이가 0
9 9
제 7항에 있어서,상기 양성자의 주입단계(S200) 이후에는,상기 양성자가 주입된 산화아연 나노 구조체가 소정 온도로 열처리되는 단계(S300);를 더 포함하는 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 열처리단계(S300)에서, 상기 온도는 100 ℃ ~ 1000 ℃인 것을 특징으로 하는 양성자 도핑된 산화아연 나노 구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단 양성자 기반공학 기술개발사업 이용자 프로그램 개발 및 운영