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가시광 발광특성을 갖는 그래핀 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059331
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따른 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법은 촉매없이 쿼츠 기판상에 그래핀을 직접성장시키는 직접성장단계를 포함하되, 상기 그래핀으로부터 가시광이 발광되고, 빛의 흡수율이 증가되는 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명은 상기 그래핀이 성장되면, 상기 성장된 그래핀상에 니켈 박막을 증착시키는 증착단계; 상기 니켈 박막이 그래핀에 증착되면, 화학기상증착(CVD)을 이용하여 열처리하는 열처리단계; 및 니켈 식각 용액을 이용하여 상기 니켈 박막을 제거하기 위한 식각단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C09K 11/00 (2006.01) C09K 11/08 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020110114076 (2011.11.03)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1301443-0000 (2013.08.22)
공개번호/일자 10-2013-0049048 (2013.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130828) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.03)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재우 대한민국 서울 송파구
2 이창묵 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0867562-55
2 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2011.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0911467-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.06 수리 (Accepted) 9-1-2012-0054912-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0147644-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0323531-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0323530-60
8 등록결정서
Decision to grant
2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0570444-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
촉매없이 쿼츠 기판상에 그래핀을 직접성장시키는 직접성장단계;상기 그래핀이 성장되면, 상기 성장된 그래핀상에 니켈 박막을 증착시키는 증착단계;상기 니켈 박막이 그래핀에 증착되면, 화학기상증착(CVD)을 이용하여 열처리하는 열처리단계; 및니켈 식각 용액을 이용하여 상기 니켈 박막을 제거하기 위한 식각단계를 포함하되,상기 그래핀으로부터 가시광이 발광되고, 빛의 흡수율이 증가되는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 그래핀은 깔대기 효과에 의한 슈도 에너지밴드 갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 직접성장단계에서는, 25sccm의 아세틸렌과 50sccm의 아르곤 가스 분위기하에서 10Torr의 압력으로 800-1000℃에서 30분 동안 상기 쿼츠 기판상에 그래핀을 직접 성장시키는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 증착단계에서는, 직류(DC) 마그네트론 스퍼터를 이용하여 50Torr의 압력과 0
6 6
제1항에 있어서,상기 열처리단계에서는, 상기 증착단계에서 니켈 박막이 그래핀에 증착되면, 화학기상증착(CVD)을 이용하여 상기 그래핀의 결정의 크기를 증가시키거나 두께를 감소시키도록 100sccm의 아르곤 가스 분위기하에서 300-800℃에서 30분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 식각단계에서는, 상기 니켈 박막을 제거하기 위해 니켈 식각 용액(DI water: FeCl3: HNO3: HCl = 68: 12: 2: 18, 단, 상기 비율은 부피비)을 이용하여 식각공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
8 8
제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 그래핀은 나노 그래핀 및 나노 그래피틱 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
9 9
쿼츠 기판을 세척한 후 상기 쿼츠 기판을 쿼츠 튜브의 중앙에 위치시키는 준비단계;촉매없이 상기 쿼츠 튜브의 중앙에 위치된 쿼츠 기판상에 그래핀을 직접성장시키는 직접성장단계;상기 그래핀상에 니켈 박막을 증착시키는 증착단계;상기 니켈 박막이 그래핀에 증착되면, 화학기상증착(CVD)을 이용하여 열처리하는 열처리단계; 및니켈 식각 용액을 이용하여 상기 니켈 박막을 제거하기 위한 식각단계를 포함하되, 상기 그래핀으로부터 발광되는 가시광의 발광효율을 향상시키는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 준비단계에서는, 초음파 세척기를 이용하여 이소프로필알콜(IPA)과 아세톤으로 15분동안 상기 쿼츠 기판을 세척하고, 상기 쿼츠 튜브를 1mTorr까지 최저 진공상태로 만든 다음 100sccm의 아르곤 가스하에서 800-1000℃까지 가열시키는 것을 특징으로 하는가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 직접성장단계에서는, 25sccm의 아세틸렌과 50sccm의 아르곤 가스 분위기하에서 10Torr의 압력으로 800-1000℃에서 30분 동안 상기 쿼츠 기판상에 그래핀을 직접 성장시키는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 증착단계에서는, 직류(DC) 마그네트론 스퍼터를 이용하여 50Torr의 압력과 0
13 13
제9항에 있어서,상기 열처리단계에서는, 상기 증착단계에서 상기 니켈 박막이 그래핀에 증착되면, 화학기상증착(CVD)을 이용하여 상기 그래핀의 결정의 크기를 증가시키거나 두게를 감소시키도록 100sccm의 아르곤 가스 분위기하에서 300-800℃에서 30분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
14 14
제9항에 있어서,상기 식각단계에서는, 상기 니켈 박막을 제거하기 위해 니켈 식각 용액(DI water: FeCl3: HNO3: HCl = 68: 12: 2: 18, 단, 상기 비율은 부피비)을 이용하여 식각공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
15 15
제9항 내지 제14항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 그래핀은 나노 그래핀 및 나노 그래피틱 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 가시광 발광특성을 갖는 그래핀 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 경희대학교 산학협력단 신진연구 지원사업 무촉매 나노 그래핀 성장 및 재결정화 기술 개발