맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노와이어의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 나노와이어를 포함하는 다이오드

  • 기술번호 : KST2014059384
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 저비용으로 단시간에 간단하게 원하는 크기의 나노와이어를 균일하고 고결정질의 구조로 제조할 수 있는 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 나노와이어를 포함하는 다이오드를 제공한다.
Int. CL H01L 33/50 (2014.01)
CPC H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01)
출원번호/일자 1020120133117 (2012.11.22)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1352958-0000 (2014.01.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.22)
심사청구항수 23

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 라용호 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0964985-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0100531-40
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0905436-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 금속 촉매와 III족 원소의 합금을 포함하는 드로플렛(droplet)을 형성하는 단계; 상기 드로플렛에 대해 III-V족계 반도체 화합물을 수직 성장시켜 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어(nanowire)를 형성하는 단계; 상기 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어에 대해 축방향 또는 원주방향 중 어느 일 방향으로, AlGaN, InGaN, AlGaAs, AlN 및 InN로 이루어진 군에서 선택되는 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 우물층과, GaN 또는 GaAs의 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 장벽층을 교대로 성장시켜 다중양자우물(multi quantum well) 구조를 형성하는 단계; 그리고상기 다중양자우물 구조 위에 III-V 반도체 화합물을 성장시켜 III-V 반도체 화합물층을 형성하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 드로플렛 형성 단계는 기판 위에 금속 촉매층을 형성한 후, III족 원소의 전구체를 공급하면서 상기 금속 촉매층이 형성된 기판을 열처리하는 방법에 의해 실시되는 것인 나노와이어의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속 촉매는 금(Au), 니켈(Ni), 은(Ag), 플래티늄(Pt), 구리(Cu) 및 철(Fe)로 이루어진 군에서 선택되는 것인 나노와이어의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 금속 촉매층은 1 내지 100nm의 두께를 갖는 것인 나노와이어의 제조방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 III족 원소의 전구체는 트리메틸갈륨, 트리에틸갈륨, 트리메틸인듐 및 트리메틸알루미늄으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 나노와이어의 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 금속 촉매층이 형성된 기판에 대한 열처리는 수소분위기하에 400 내지 700℃의 온도 범위에서 10초 내지 20분 동안 실시되는 것인 나노와이어의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 드로플렛은 1 내지 300nm의 직경을 갖는 것인 나노와이어의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어 형성 단계는 Ⅲ족 및 Ⅴ족 원소의 전구체를 교대로 주입하는 펄스 성장법에 의해 실시되는 것인 나노와이어의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 III족 원소의 전구체는 트리메틸갈륨, 트리에틸갈륨, 트리메틸인듐 및 트리메틸알루미늄으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 나노와이어의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 V족 원소의 전구체는 암모니아, t-부틸포스핀 및 AsH3로 이루어진 군에서 선택되는 것인 나노와이어의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어 형성 단계는 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어 형성 중에 n형 도펀트의 전구체를 주입하는 공정을 더 포함하는 것인 나노와이어의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어 형성 단계는 740 내지 980℃의 온도 및 400 내지 600torr의 압력 조건 하에서 실시되는 것인 나노와이어의 제조방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 다중양자우물 구조 형성 단계는 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어에 대해 600 내지 900℃의 온도 및 300 내지 600torr의 압력에서 III족 원소 전구체 및 V족 원소 전구체를 교대로 공급하는 펄스성장법에 의해 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 장벽층을 성장시키는 공정, 및 600 내지 800℃의 온도 및 300 내지 760torr의 압력에서 III족 원소 전구체 및 V족 원소 전구체를 동시에 공급하여 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 우물층을 성장시키는 공정을 교대로 실시하여 상기 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어의 축방향으로 다중양자우물 구조를 형성함으로써 실시되는 것인 나노와이어의 제조방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 다중양자우물 구조 형성 단계는, III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어에 대해 600 내지 900℃의 온도 및 100 내지 500torr의 압력에서 III족 원소 전구체 및 V족 원소 전구체를 교대로 공급하는 펄스성장법에 의해 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 장벽층을 성장시키는 공정 및 600 내지 800℃의 온도 및 100 내지 500torr의 압력에서 III족 원소 전구체 및 V족 원소 전구체를 교대로 공급하는 펄스성장법에 의해 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 우물층을 성장시키는 공정을 교대로 실시하여 상기 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어의 원주방향으로 다중양자우물 구조를 형성함으로써 실시되는 것인 나노와이어의 제조방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 다중양자우물 구조 위에 III-V 반도체 화합물층을 형성하는 단계는 Ⅲ족 및 Ⅴ족 원소의 전구체를 각각 교대로 주입하는 펄스 성장법에 의해 실시되는 것인 나노와이어의 제조방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 다중양자우물 구조 위에 III-V 반도체 화합물층을 형성하는 단계는 670 내지 850℃의 온도 및 400 내지 600torr의 압력 조건 하에서 실시되는 것인 나노와이어의 제조방법
17 17
제1항에 있어서, 상기 다중양자우물 구조 위에 III-V 반도체 화합물층을 형성하는 단계는 III-V 반도체 화합물층의 형성 동안에 p형 도펀트의 전구체를 주입하는 공정을 더 포함하는 것인 나노와이어의 제조방법
18 18
제1항에 따른 제조방법에 의해 제조된 나노와이어
19 19
제18항에 있어서, 상기 나노와이어는 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어, 상기 나노와이어의 축방향 및 원주방향 중 어느 일 방향으로 장벽층과 우물층이 교대로 성장하여 형성된 다중양자우물 구조, 그리고 상기 다중양자우물 구조 위에 성장된 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 것인 나노와이어
20 20
제18항에 있어서, 상기 III-V족계 반도체 화합물은 GaN, AlN, InN, InGaN, AlInGaN, 및 AlGaN로 이루어진 군에서 선택되는 것인 나노와이어
21 21
제18항에 있어서, 상기 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어는 n형 도펀트로 도핑되고, 상기 III-V족계 반도체 화합물층은 p형 도펀트로 도핑된 것인 나노와이어
22 22
제1항에 따른 제조방법에 의해 제조된 나노와이어를 포함하는 다이오드
23 23
기판 위에 금속 촉매와 III족 원소의 합금을 포함하는 드로플렛을 형성하는 단계; 상기 드로플렛에 대해 III-V족계 반도체 화합물을 수직 성장시켜 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어에 대해 축방향 또는 원주방향 중 어느 일 방향으로, AlGaN, InGaN, AlGaAs, AlN 및 InN로 이루어진 군에서 선택되는 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 우물층과, GaN 또는 GaAs의 III-V족계 반도체 화합물을 포함하는 장벽층을 교대로 성장시켜 다중양자우물(multi quantum well) 구조를 형성하는 단계;상기 다중양자우물 구조 위에 III-V 반도체 화합물층을 형성하여 나노와이어 또는 상기 나노와이어의 어레이를 제조하는 단계; 그리고상기 나노와이어 또는 나노와이어의 어레이에 대해 금속 접합층을 형성하는 단계를 포함하는 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전북대학교 2012 - 지역혁신인력양성사업 고효율/장수명/초저가 백색 LED 소자, package 및 조명용 lamp 제조기술 개발