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고효율 발광다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2014059396
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전해 에칭시 선택적으로 식각되는 반도체 입체 구조물과 이를 씨드(seed)로 성장하는 반도체층을 이용하여 결정 결함(예를 들면, 관통 전위(threading dislocations))을 최소화하고 빠른 에칭 속도를 확보하는 기판 분리방법 및 이를 이용한 고효율의 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/32 (2014.01)
CPC H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01)
출원번호/일자 1020120007617 (2012.01.26)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1354491-0000 (2014.01.16)
공개번호/일자 10-2013-0086729 (2013.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이인환 대한민국 전북 전주시 완산구
2 전대우 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원] 특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0063649-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0088637-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0055210-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0253619-59
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0253621-41
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0508606-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0701215-59
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0823585-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 n-GaN 계열 희생층을 형성하는 단계 ; 상기 n-GaN 계열 희생층을 에칭하여 상기 기판 상에 입체구조물을 형성하는 단계 ; 상기 입체구조물을 씨드(seed)로 하여 제 1 반도체층을 Pendeo 또는 ELOG 측면 성장시키는 단계 : 및 상기 n-GaN 계열 입체구조물만을 전기화학적 에칭으로 제거하여 상기 기판과 제 1 반도체층을 분리하는 단계를 포함하고, 상기 입체구조물 형성단계는 n-GaN 계열 희생층 상에 금속 마스크 패턴 또는 금속 나노 도트 마스크를 형성한 후 선택적으로 n-GaN 계열 희생층을 에칭하고 추가로 기판 일부까지 더 에칭하는 단계이고, 상기 n-GaN 입체구조물은 도핑 농도가 1×1018 ~ 1×1020㎝-3이고, 및 상기 제 1 반도체층은 u-GaN 계열 반도체층인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
2 2
기판 상에 u-GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계 ; 상기 u-GaN 계열 반도체층을 에칭하여 상기 기판 상에 u-GaN 계열의 3차원 구조물을 형성하는 단계; 상기 3차원 구조물을 씨드(seed)로 하여 상기 3차원 구조물을 덮을 수 있을 정도의 두께로 n-GaN 계열 입체구조물을 측면 성장시킨 후 제 1 반도체층을 연속 성장시키는 단계 : 및 상기 n-GaN 계열 입체구조물만을 전기화학적 에칭으로 제거하여 상기 기판과 제 1 반도체층을 분리하는 단계를 포함하고, 상기 n-GaN 입체구조물은 도핑 농도가 1×1018 ~ 1×1020㎝-3이고, 및 상기 제 1 반도체층은 u-GaN 계열 반도체층인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 방법은 상기 입체구조물의 형상 및 크기를 조절하여 에칭속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 방법은 상기 입체구조물이 스트라이프(stripe) 패턴, 마이크로 또는 나노사이즈의 로드, 필러(pillar) 또는 와이어 인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 입체구조물의 돌출 단면이 기판 표면적 대비 10~50% 이내인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 2항에 있어서, 상기 제 1 반도체층을 성장시키는 단계는 Pendeo 또는 ELOG 측면 성장법을 사용하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
9 9
제 1항 또는 제 8항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 1 반도체층을 측면 성장시킨 후에 유기금속화학증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 또는 하이드라이드 기상성장법(HVPE)을 사용하여 1~500㎛ 범위의 제 1 반도체층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
10 10
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 n-GaN 입체구조물만을 제거하는 단계는 상기 제 1 반도체층과 n-GaN 입체구조물을 양극으로, 백금전극을 음극으로 하여 옥살산 전해액에서 전기화학적 에칭을 수행하는 것을 특징으로 하는 고효율발광 다이오드의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 방법은 제 1 반도체층을 성장시킨 후 그 위에 n-GaN 계열 반도체층, 광활성층 및 p-GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되
13 13
제 2항에 있어서, 상기 제 1 반도체층을 형성시키는 단계는 상기 n-GaN 계열 입체구조물을 10~100nm로 측면 성장시켜 3차원 구조물을 덮는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국 광기술원 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업 모바일 융합기기용 5W급풀컬러(R,G,B)레이저다이오드 및 모듈 개발