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롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법을 이용하는 나노 발전기 제조 방법과 시스템 및 제조된 나노 발전기

  • 기술번호 : KST2014059487
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연(ZnO) 나노와이어에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 Zinc nitrate hexahydrate와 Hexamethylenetetramine 및 ammonium chloride가 혼합된 성장 용액을 마련하는 단계, 촉매층이 형성된 기판을 상기 성장 용액에 일정 시간 동안 침수시키는 단계를 포함하는 롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법과, 상기 롱타입 ZnO 나노와이어를 추출하여 기타 혼합물에 혼합하여 박막의 필름 형태로 나노 발전기를 제조하는 방법 및 이 방법들을 기반으로 제조된 나노 발전기 및 상술한 나노 발전기 제조를 위한 시스템의 구성을 개시한다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B01J 19/24 (2006.01) C01G 9/02 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120013474 (2012.02.09)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1359958-0000 (2014.02.03)
공개번호/일자 10-2013-0092035 (2013.08.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 충북 청원군
2 조진우 대한민국 경기 성남시 분당구
3 김성현 대한민국 경기 용인시 수지구
4 이철승 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 김선민 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0107418-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0028822-53
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0497476-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0841203-51
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0841201-60
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0071041-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Zinc nitrate hexahydrate와 Hexamethylenetetramine 및 ammonium chloride가 혼합된 성장 용액을 마련하는 단계;촉매층이 형성된 기판을 상기 성장 용액에 일정 시간 동안 침수시켜 롱타입 ZnO 나노와이어를 성장시키는 단계;상기 롱타입 ZnO 나노와이어를 추출하는 추출 단계;추출된 롱타입 ZnO 나노와이어와 CNT 및 Ag 나노와이어 중 적어도 하나를 혼합하고, 액상의 PDMS에 혼합하여 PDMS 용액을 마련하는 혼합 단계;상기 PDMS 용액을 기판 상에 코팅하여 박막의 PDMS 필름을 형성하는 단계; 및상기 PDMS 필름을 상기 기판에서 분리하고 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법을 이용하는 나노 발전기 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 Ammonium chloride 몰농도는 0
3 3
제2항에 있어서,상기 Zinc nitrate hexahydrate와 Hexamethylenetetramine는 각각 0
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 추출 단계는순수에 상기 롱타입 ZnO 나노와이어가 성장한 기판을 침수시키는 단계;상기 기판이 침수된 순수를 초음파 처리 하는 단계;상기 초음파 처리 후 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법을 이용하는 나노 발전기 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 CNT 및 Ag 나노와이어 중 적어도 하나는 1wt% - 5 wt%로 구성되는 것을 특징으로 하는 롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법을 이용하는 나노 발전기 제조 방법
7 7
제1항, 제2항, 제3항, 제5항 및 제6항 중 어느 한항에 있어서,상기 롱타입 ZnO 나노와이어 성장 방법에 의하여 성장한 상기 롱타입 ZnO 나노와이어를 이용하고 상기 나노 발전기 제조 방법에 의하여 제조된 나노 발전기
8 8
롱타입 ZnO 나노와이어를 성장시키기 위한 기판;상기 기판에 형성되는 촉매층;상기 촉매층이 형성된 기판 상에 롱타입 ZnO 나노와이어를 성장시키기 위해 염화암모늄이 일정 비율로 첨가된 성장 용액이 충진되는 용액 챔버;상기 롱타입 ZnO 나노와이어를 상기 기판 및 촉매층으로부터 추출하기 위한 추출 챔버;추출된 롱타입 ZnO 나노와이어와 CNT 또는 Ag 나노와이어를 액상의 PDMS에서 혼합시켜 PDMS 용액을 생성하기 위한 혼합 챔버;스핀 코터 방식을 이용하여 상기 PDMS 용액을 박막으로 코팅하여 PDMS 필름을 형성하기 위한 플라스틱 기판;상기 플라스틱 기판에서 분리된 PDMS 필름 일측에 마련되어 전극 역할을 수행하는 전도성 필름들;을 포함하는 것을 특징으로 하는 롱타입 ZnO 나노와이어를 이용하는 나노 발전기 제조 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 국가플랫폼기술개발사업 액상공정 기반 나노구조체 제작 기술