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질화물 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014059488
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 LED 칩 내부에서 방출 되는 빛이 기판 측으로 새어 나가 발생하는 빛의 손실을 최소화할 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 베이스 기판; 상기 기판 상에 격자 구조로 형성되는 반사막 패턴; 상기 반사막 패턴 상에 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성되는 pn 접합을 갖는 반도체층;을 포함하여 구성되므로, 반사막 패턴에 의해 반사 효율을 극대화시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/10 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020110144256 (2011.12.28)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1363432-0000 (2014.02.10)
공개번호/일자 10-2013-0075931 (2013.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서용곤 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 황성민 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 백광현 대한민국 서울특별시 강북구
4 김지훈 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1042759-04
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0688951-95
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0038795-33
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0038794-98
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0272318-58
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.05.23 수리 (Accepted) 7-1-2013-0020536-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0542081-97
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.06.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0542080-41
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0460738-20
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0785249-47
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0785248-02
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0702799-15
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1124515-41
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1124516-97
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0091479-89
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 격자 구조로 형성되는 반사막 패턴; 상기 베이스 기판 상의 상기 반사막 패턴을 덮도록 형성되며 상부가 평탄하게 형성되는 질화물 소재의 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성되는 pn 접합을 갖는 질화물 소재의 반도체층;을 포함하며,상기 반사막 패턴은 제1 굴절율을 갖는 제1 굴절막과, 상기 제1 굴절율과 다른 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절막을 포함하며, 상기 제1 굴절막과 상기 제2 굴절막이 교대로 적층되어 형성되되 전반사 가능성을 높일 수 있도록 상기 버퍼층과 접하는 최상부에 상기 제1 굴절막이 위치하고, 상기 제1 굴절막이 아래의 상기 제2 굴절막보다는 낮은 굴절율을 가지고,상기 버퍼층은 상기 반사막 패턴을 패턴층으로 하여 에피텍셜 측방 과성장(Epitaxial Lateral Over Growth: ELOG) 공정을 통해 형성되며, 임계각 이상의 입사각으로 상기 반사막 패턴에 입사되는 빛을 전반사할 수 있도록 상기 반사막 패턴 보다는 굴절율이 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 GaN로 형성되고, 상기 반사막 패턴의 최상층에 배치되는 상기 제1 굴절막은 SiO2로 형성되며, 제2 굴절막은 TiO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 반사막 패턴은,분산 브래그 반사기(DBR; distributed bragg reflector)로서 기능하며 상기 반도체 층에서 방사되는 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
5 5
베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 상에 격자 구조로 반사막 패턴을 형성하는 단계;상기 베이스 기판 상에 상기 반사막 패턴을 덮도록 형성하되, 상부가 평탄하게 질화물 소재의 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 pn 접합을 갖는 질화물 소재의 반도체 층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 반사막 패턴을 형성하는 단계에서,상기 반사막 패턴은 제1 굴절율을 갖는 제1 굴절막과, 상기 제1 굴절율과 다른 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절막을 포함하며, 상기 제1 굴절막과 상기 제2 굴절막이 교대로 적층되어 형성되되 전반사 가능성을 높일 수 있도록 상기 버퍼층과 접하는 최상부에 상기 제1 굴절막이 위치하고, 상기 제1 굴절막이 아래의 상기 제2 굴절막보다는 낮은 굴절율을 가지고,상기 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 버퍼층은 상기 반사막 패턴을 패턴층으로 하여 에피텍셜 측방 과성장(Epitaxial Lateral Over Growth: ELOG) 공정을 통해 형성되며, 임계각 이상의 입사각으로 상기 반사막 패턴에 입사되는 빛을 전반사할 수 있도록 상기 반사막 패턴 보다는 굴절율이 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 반사막 패턴을 형성하는 단계는,상기 베이스 기판 상에 상기 제2 굴절막과 상기 제1 굴절막을 교대로 적층하며 반사막층을 형성하는 단계;상기 반사막층을 형성한 후, 마스크를 이용하여 상기 반사막층을 격자 구조의 패턴으로 형성하는 단계;를 포함하고,상기 버퍼층에 접하는 제1 굴절막이 아래의 제2 굴절막보다는 낮은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계에서, 상기 버퍼층은 GaN로 형성되고,상기 반사막 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 반사막 패턴의 최상층에 배치되는 상기 제1 굴절막은 SiO2로 형성되고, 상기 제2 굴절막은 TiO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법
8 8
삭제
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 IT산업원천 무분극(Non-Polar) LED 에피/칩